[發明專利]一種去除多晶硅表面環氧樹脂粘合劑的方法在審
| 申請號: | 201710730509.5 | 申請日: | 2017-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN107482086A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 唐駿;袁聰;常傳波;楊振幫 | 申請(專利權)人: | 揚州榮德新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 多晶 表面 環氧樹脂 粘合劑 方法 | ||
技術領域
本發明涉及多晶硅太陽能電池領域,更具體地,涉及一種去除多晶硅表面環氧樹脂粘合劑的方法。
背景技術
近年來隨著不可再生能源的日益枯竭,太陽能電池得到了快速的發展。由于鑄造多晶硅的制備工藝相對簡單,成本遠低于單晶硅,多晶硅逐步取代直拉單晶硅在太陽能電池材料市場的主導地位,成為行業內最主要的光伏材料。多晶硅料是整個多晶硅片生產過程中最重要的原材料,隨著行業競爭日益激烈,多晶鑄錠行業會向著大投料量、高效率、低成本的方向發展。
在常規工藝中將晶磚粘在玻璃上并固定在切片機里面進行切割,在將晶磚粘在玻璃上的過程中晶磚端面會粘染環氧樹脂粘合劑,在分線網切割過程中晶磚端面會被保存下來,分線網厚片厚度約5-10mm,且表面粘有固化了的粘合劑,由于厚片厚度約5-10mm,很難處理,通過磨光機打磨硅料損耗大且硅料容易破碎,破碎后的硅料由于尺寸較小很難打磨,報廢率較高。因此需要一種高效、簡便的方法去除多晶硅表面的環氧樹脂粘合劑。
發明內容
本發明提供一種去除多晶硅表面環氧樹脂粘合劑的方法,其包括以下步驟:
1)將表面粘有環氧樹脂粘合劑的多晶硅料置于硝酸水溶液中進行氧化處理30-100秒,所述硝酸水溶液的濃度為20重量%-60重量%;
2)將氧化處理后的多晶硅料放在純水中漂洗,使多晶硅料呈中性;
3)將漂洗后多晶硅料表面的環氧樹脂粘合劑除去;以及
4)用酒精擦拭并除去多晶硅料表面殘留的環氧樹脂粘合劑。
在一個優選的實施方式中,在上述步驟1)中,硝酸水溶液的濃度優選為40-50重量%,更優選為47重量%,氧化處理時間優選為50-70秒,更優選60秒。
在一個優選的實施方式中,在上述步驟2)中,在純水中漂洗1-3次,優選漂洗2次。
在一個優選的實施方式中,在上述步驟3)中,使用毛刷或不銹鋼鏟將硅料表面的環氧樹脂粘合劑除去。
根據本發明的去除多晶硅表面環氧樹脂粘合劑的方法,其使用化學品氧化代替傳統的機械打磨來去除環氧樹脂,在氧化處理環氧樹脂的過程中適當濃度的氧化劑只氧化環氧樹脂,而不會腐蝕硅料,因此硅料無損耗,并且由于可以保留完整的分線網厚片,所以報廢率降低。該方法去除效率高,處理成本降低,并且可以方便后續處理。
附圖說明
圖1為顯示在常規方法中表面粘有環氧樹脂的厚片被敲下并報廢的照片。
圖2為顯示根據本發明實施例1的方法硅料表面的環氧樹脂被氧化后自動脫落的照片。
圖3為顯示根據本發明實施例1的方法硅料表面的環氧樹脂用手輕輕擦拭即被清除的照片。
圖4為顯示對比實施例1中使用角磨機打磨表面含有殘膠的分線網厚片的照片。
圖5為顯示對比實施例1中分線網厚片經打磨后其表面上存在未被清除干凈的殘膠的照片。
圖6為顯示在對比實施例1的打磨過程產生碎片的照片。
具體實施方式
實施例1
采用以下方法去除多晶硅表面環氧樹脂粘合劑,其具體操作如下:
1)將表面粘有環氧樹脂粘合劑的硅料置于濃度為47重量%的硝酸水溶液中進行氧化處理60秒;
2)將氧化處理后的硅料放在純水中漂洗2次,使硅料呈中性;
3)用不銹鋼鏟將漂洗后硅料表面的環氧樹脂粘合劑輕輕鏟去;以及
4)用酒精擦拭并除去硅料表面殘留的環氧樹脂粘合劑。
對比實施例1
使用角磨機打磨表面含有殘膠的分線網厚片來去除硅料表面的殘膠。
將分選網厚片打磨干凈后用純水沖洗表面的硅粉,使用體積比1:8的47重量%的氫氟酸水溶液和63重量%的硝酸水溶液進行酸洗,隨后漂洗、烘干。
比較實施例1和對比實施例1的方法中每小時產能、損耗以及報廢率,結果列于以下表1中。
[表1]
從表1中的數據可以看到,在實施例1中,本發明的方法的每小時產能為現有的打磨法的4倍,并且本發明的方法的物料損耗以及報廢率降低到1%以下。與現有技術相比,本發明的方法優勢明顯。
以上實施例僅為本發明的示例性實施例,不用于限制本發明,本發明的保護范圍由權利要求書限定。本領域技術人員可以在本發明的實質和保護范圍內,對本發明做出各種修改或等同替換,這種修改或等同替換也應視為落在本發明的保護范圍內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





