[發明專利]一種去除多晶硅表面環氧樹脂粘合劑的方法在審
| 申請號: | 201710730509.5 | 申請日: | 2017-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN107482086A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 唐駿;袁聰;常傳波;楊振幫 | 申請(專利權)人: | 揚州榮德新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京金信知識產權代理有限公司11225 | 代理人: | 張皓,師楊 |
| 地址: | 225131 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 多晶 表面 環氧樹脂 粘合劑 方法 | ||
1.一種去除多晶硅表面環氧樹脂粘合劑的方法,其包括以下步驟:
1)將表面粘有環氧樹脂粘合劑的多晶硅料置于硝酸水溶液中進行氧化處理30-100秒,其中所述硝酸水溶液的濃度為20重量%-60重量%;
2)將氧化處理后的多晶硅料放在純水中漂洗,使多晶硅料呈中性;
3)將漂洗后的多晶硅料表面的環氧樹脂粘合劑除去;以及
4)用酒精擦拭并除去多晶硅料表面殘留的環氧樹脂粘合劑。
2.根據權利要求1所述方法,其中,在步驟1)中,硝酸水溶液的濃度為40-50重量%,氧化處理時間為50-70秒。
3.根據權利要求2所述方法,其中,在步驟1)中,硝酸水溶液的濃度為47重量%,氧化處理時間為60秒。
4.根據權利要求1所述方法,其中,在步驟2)中,在純水中漂洗1-3次。
5.根據權利要求4所述方法,其中,在步驟2)中,在純水中漂洗2次。
6.根據權利要求1所述方法,其中,在步驟3)中,使用毛刷或不銹鋼鏟將多晶硅料表面的環氧樹脂粘合劑除去。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





