[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710728997.6
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN108630264B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上田善寬
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能確保讀出裕度的半導(dǎo)體存儲裝置。一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：存儲單元，包含能夠保存數(shù)據(jù)的電阻性存儲元件；讀出放大器，從所述存儲單元讀出數(shù)據(jù)；第1晶體管及第2晶體管，并聯(lián)連接在電連接于所述存儲單元的第1節(jié)點(diǎn)與電連接于所述讀出放大器的第2節(jié)點(diǎn)之間，包含被供給第1電壓的柵極，且具有互不相同的尺寸；以及開關(guān)電路，經(jīng)由所述第1晶體管或所述第2晶體管中的任一晶體管，將所述第1節(jié)點(diǎn)及所述第2節(jié)點(diǎn)之間電連接。所述讀出放大器將第1電流與第2電流進(jìn)行比較，所述第1電流經(jīng)由所述第1晶體管被供給到所述存儲單元，所述第2電流經(jīng)由所述第2晶體管以與所述第1電流不同的時(shí)序被供給到所述存儲單元。

[相關(guān)申請]

本申請享有以日本專利申請2017-49983號(申請日：2017年3月15日)作為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置。

背景技術(shù)

已知一種具有電阻變化元件的半導(dǎo)體存儲裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠相對于動(dòng)作環(huán)境穩(wěn)固地確保自參照方式中的讀出裕度的半導(dǎo)體存儲裝置。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備存儲單元、讀出放大器、第1晶體管、第2晶體管、及開關(guān)電路。所述存儲單元包含能夠保存數(shù)據(jù)的電阻性存儲元件。所述讀出放大器從所述存儲單元讀出數(shù)據(jù)。所述第1晶體管及所述第2晶體管并聯(lián)連接在電連接于所述存儲單元的第1節(jié)點(diǎn)與電連接于所述讀出放大器的第2節(jié)點(diǎn)之間，包含被供給第1電壓的柵極，且具有互不相同的尺寸。所述開關(guān)電路經(jīng)由所述第1晶體管或所述第2晶體管中的任一晶體管，將所述第1節(jié)點(diǎn)及所述第2節(jié)點(diǎn)之間電連接。所述讀出放大器將第1電流與第2電流進(jìn)行比較，所述第1電流經(jīng)由所述第1晶體管被供給到所述存儲單元，所述第2電流經(jīng)由所述第2晶體管以與所述第1電流不同的時(shí)序被供給到所述存儲單元。

附圖說明

圖1是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的框圖。

圖2是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的存儲單元的構(gòu)成的示意圖。

圖3是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的讀出放大器及寫入驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成的電路圖。

圖4是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的讀出動(dòng)作的流程圖。

圖5是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的讀出動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖6是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的第1讀出動(dòng)作的示意圖。

圖7是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的第2讀出動(dòng)作的示意圖。

圖8是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的比較動(dòng)作的表格。

圖9是用來說明相關(guān)技術(shù)的電路圖。

圖10是用來說明相關(guān)技術(shù)的圖解。

圖11是用來說明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的效果的圖解。

圖12是用來說明第1實(shí)施方式的第1變化例的半導(dǎo)體存儲裝置的效果的圖解。

圖13是用來說明第1實(shí)施方式的第2變化例的半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的電路圖。

圖14是用來說明第1實(shí)施方式的第3變化例的半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的電路圖。

具體實(shí)施方式