[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710728997.6
• 申請日: 2017-08-23
• 公開（公告）號: CN108630264B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 上田善寬
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：

存儲單元，包含能夠保存數據的電阻性存儲元件；

讀出放大器，從所述存儲單元讀出數據；

第1晶體管及第2晶體管，并聯連接在電連接于所述存儲單元的第1節點與電連接于所述讀出放大器的第2節點之間，均包含被供給第1電壓的柵極，且針對不同的預先規定的數據，具有互不相同的尺寸；以及

開關電路，經由所述第1晶體管或所述第2晶體管中的任一晶體管，將所述第1節點及所述第2節點之間電連接；且

所述讀出放大器將第1電流與第2電流進行比較，所述第1電流經由所述第1晶體管被供給到所述存儲單元，所述第2電流經由所述第2晶體管以與所述第1電流不同的時序被供給到所述存儲單元。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述開關電路還具備：

第3晶體管，包含電連接于所述第1晶體管的第1端的第1端、及電連接于所述第1節點的第2端；

第4晶體管，包含電連接于所述第2晶體管的第1端的第1端、及電連接于所述第1節點的第2端；

第5晶體管，包含電連接于所述第1晶體管的第2端的第1端、及電連接于所述第2節點的第2端；以及

第6晶體管，包含電連接于所述第2晶體管的第2端的第1端、及電連接于所述第2節點的第2端。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述開關電路是

在所述第3晶體管為接通狀態且所述第4晶體管為斷開狀態時，將所述第1電流供給到所述存儲單元，

在所述第3晶體管為斷開狀態且所述第4晶體管為接通狀態時，將所述第2電流供給到所述存儲單元。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述開關電路在所述第5晶體管及所述第6晶體管均為接通狀態時，將所述第1電流及所述第2電流以互不相同的時序供給到所述存儲單元。

5.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述開關電路是

在所述第5晶體管為接通狀態且所述第6晶體管為斷開狀態時，將所述第1電流供給到所述存儲單元，

在所述第5晶體管為斷開狀態且所述第6晶體管為接通狀態時，將所述第2電流供給到所述存儲單元。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述開關電路在所述第3晶體管及所述第4晶體管均為接通狀態時，將所述第1電流及所述第2電流以互不相同的時序供給到所述存儲單元。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具備對所述存儲單元寫入數據的寫入電路，

所述寫入電路在所述第1電流被供給到所述存儲單元之后且所述第2電流被供給到所述存儲單元之前，對所述存儲單元寫入所述預先規定的數據。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第1晶體管的尺寸大于所述第2晶體管的尺寸。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述讀出放大器是

在所述比較的結果是判定為所述第1電流大于所述第2電流的情況下，從所述存儲單元讀出與所述預先規定的數據相同的數據，

在判定為所述第1電流小于所述第2電流的情況下，從所述存儲單元讀出與所述預先規定的數據不同的數據。

10.根據權利要求7所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第1晶體管的尺寸小于所述第2晶體管的尺寸。