[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710726817.0
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN109427675B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括用于形成第一類型晶體管的第一區(qū)域和用于形成第二類型晶體管的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的襯底上具有第一柵極結(jié)構(gòu)和位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底上的第一應(yīng)力層；所述第二區(qū)域的襯底上具有第二柵極結(jié)構(gòu)；

形成第一區(qū)域掩膜層，所述第一區(qū)域掩膜層位于所述第一應(yīng)力層上；

以所述第一區(qū)域掩膜層為掩膜，在所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上形成第二應(yīng)力層；

形成接觸孔刻蝕停止層，位于所述第一區(qū)域掩膜層和所述第二應(yīng)力層上；

形成位于所述第一應(yīng)力層上的第一接觸孔和位于所述第二應(yīng)力層上的第二接觸孔，所述第一接觸孔底部露出所述第一應(yīng)力層上的接觸孔刻蝕停止層，所述第二接觸孔露出所述第二應(yīng)力層上的接觸孔刻蝕停止層；

沿所述第一接觸孔進(jìn)行減薄處理，至少去除所述第一應(yīng)力層上部分厚度的接觸孔刻蝕停止層；

所述減薄處理之后，所述第一接觸孔底部第一應(yīng)力層上剩余接觸孔刻蝕停止層和所述第一區(qū)域掩膜層的厚度之和與所述第二接觸孔底部第二應(yīng)力層上接觸孔刻蝕停止層的厚度相當(dāng)；

減薄處理之后，去除所述第一接觸孔底部的第一區(qū)域掩膜層和所述第二接觸孔底部的接觸孔刻蝕停止層，露出所述第一應(yīng)力層和所述第二應(yīng)力層；

形成位于所述第一接觸孔內(nèi)的第一插塞和位于所述第二接觸孔內(nèi)的第二插塞。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，沿所述第一接觸孔進(jìn)行減薄處理的步驟包括：

在所述第二區(qū)域的襯底上形成保護(hù)層；

以所述保護(hù)層為掩膜，進(jìn)行所述減薄處理；

減薄處理之后，去除所述保護(hù)層，露出所述第二接觸孔底部的接觸孔刻蝕停止層。

3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層填充滿所述第二接觸孔。

4.如權(quán)利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層為光刻膠層、有機(jī)介電層和底部抗反射層中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，通過旋涂的方式形成所述保護(hù)層。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕的方式進(jìn)行所述減薄處理。

7.如權(quán)利要求1或6所述的形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域掩膜層和所述接觸孔刻蝕停止層中的一個或兩個的材料為氮化硅。

8.如權(quán)利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理的工藝參數(shù)包括：刻蝕氣體包括：CH₂F₂、O₂以及CF₄；刻蝕氣體流量分別為：CH₂F₂：8sccm到50sccm范圍內(nèi)；O₂：2sccm到30sccm范圍內(nèi)；CF₄：30sccm到200sccm范圍內(nèi)；射頻功率：100W到1000W范圍內(nèi)，電壓：30V到500V范圍內(nèi)；刻蝕時間：4s到500s范圍內(nèi)；氣壓：10mtorr到2000mtorr。

9.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理的刻蝕量在到范圍內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1或9所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理去除所述第一應(yīng)力層上所述第一接觸孔露出的接觸孔刻蝕停止層。

11.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理還去除部分厚度的所述第一區(qū)域掩膜層。

12.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕的方式去除所述保護(hù)層。