[發明專利]柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性顯示面板有效
| 申請號: | 201710726119.0 | 申請日: | 2017-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN107393859B | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 謝昌翰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 制作方法 顯示 面板 | ||
本公開屬于顯示面板領域,具體是關于一種柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性顯示面板。該制作方法包括:提供一玻璃基板,在所述玻璃基板的表面形成第一柔性材料層;在所述第一柔性材料層表面沉積制備屏障無機層;其中所述屏障無機層包括氧化硅材料層和氮化硅材料層中的至少一個;在所述屏障無機層沉積完成時,對所述屏障無機層表面進行等離子體轟擊處理,以提升所述屏障無機層表面的浸潤性;在所述屏障無機層表面形成第二柔性材料層,并將所述玻璃基板剝離。本公開可以確保第二柔性材料層良好的附著成膜于該屏障無機層上,無需額外沉積介面無機層來改善介面附著不良等問題,工藝簡單成本低。
技術領域
本公開涉及顯示面板技術領域,尤其涉及一種柔性基板的制作方法,該制作方法制備的柔性基板以及包含該柔性基板的柔性顯示面板。
背景技術
隨著科技的發展與社會的進步,各種顯示裝置在生活中得到了大量的應用。而在這些顯示裝置大量運用的基礎上,類似于紙張的超薄柔性顯示裝置由于能夠被彎曲,具備良好的便攜性,被認為是下一代的顯示裝置。
目前市場對超薄的柔性顯示產品的要求越來越高。為了滿足產品需求,更多的顯示器件將采用例如塑料、金屬等柔性材料來制作顯示基板。例如聚酰亞胺PI(Polymide)材料,其擁有優越的材料特性而被廣泛使用。
相關技術中,基于PI制備的柔性顯示基板需要透過沉積屏障無機層來改善如第一PI層的阻水、阻氧、抗刮刻等特性,但也因此產生該屏障無機層與第二PI層之間介面附著不良等問題。而相關技術中又透過沉積介面無機層來改善上述介面附著不良的問題,但又因此衍生出應力匹配及異物不良等問題。因此,有必要提供一種新的技術方案改善上述方案中存在的一個或者多個問題。
需要說明的是,在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于提供一種柔性基板的制作方法,該制作方法制備的柔性基板以及包含該柔性基板的柔性顯示面板,進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的一個或者多個問題。
本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然,或部分地通過本公開的實踐而習得。
根據本公開實施例的第一方面,提供一種柔性基板的制作方法,該方法包括:
提供一玻璃基板,在所述玻璃基板的表面形成第一柔性材料層;
在所述第一柔性材料層表面沉積制備屏障無機層;其中所述屏障無機層包括氧化硅材料層和氮化硅材料層中的至少一個;
在所述屏障無機層沉積完成時,對所述屏障無機層表面進行等離子體轟擊處理,以提升所述屏障無機層表面的浸潤性;
在所述屏障無機層表面形成第二柔性材料層,并將所述玻璃基板剝離。
本公開的一種示例性實施例中,在所述第一柔性材料層表面沉積制備屏障無機層的步驟包括:
將形成了所述第一柔性材料層的所述玻璃基板置于一腔室;
向所述腔室內提供硅烷氣體,同時開啟預設等離子體電源向所述腔室內提供等離子體,以在所述第一柔性材料層表面沉積制備所述屏障無機層。
本公開的一種示例性實施例中,在所述屏障無機層沉積完成時,對所述屏障無機層表面進行等離子體轟擊處理的步驟包括:
在所述屏障無機層沉積完成時,停止提供硅烷氣體并關閉所述預設等離子體電源,然后向所述腔室內持續通入一氧化二氮預設時間;
在所述腔室內通入的一氧化二氮達到預設百分比時,開啟所述預設等離子體電源使等離子體隨機轟擊已形成的所述屏障無機層表面以改變其表面型態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





