[發明專利]柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性顯示面板有效
| 申請號： | 201710726119.0 | 申請日： | 2017-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN107393859B | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 謝昌翰 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種柔性基板的制作方法，其特征在于，該方法包括：
提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面沉積形成第一柔性材料層；
在所述第一柔性材料層表面沉積制備屏障無機層；其中所述屏障無機層包括氧化硅材料層和氮化硅材料層中的至少一個；
在所述屏障無機層沉積完成時，對所述屏障無機層表面進行等離子體轟擊的處理，以提升所述屏障無機層表面的浸潤性；
在所述屏障無機層的表面形成第二柔性材料層，并將所述玻璃基板剝離。
2.根據權利要求1所述制作方法，其特征在于，在所述第一柔性材料層表面沉積制備屏障無機層的步驟包括：
將形成了所述第一柔性材料層的所述玻璃基板置于一腔室；
向所述腔室內提供硅烷氣體，同時開啟預設等離子體電源向所述腔室內提供等離子體，以在所述第一柔性材料層表面沉積制備所述屏障無機層。
3.根據權利要求2所述制作方法，其特征在于，在所述屏障無機層沉積完成時，對所述屏障無機層表面進行等離子體轟擊處理的步驟包括：
在所述屏障無機層沉積完成時，停止提供硅烷氣體并關閉所述預設等離子體電源，然后向所述腔室內持續通入一氧化二氮預設時間；
在所述腔室內通入的一氧化二氮達到預設百分比時，開啟所述預設等離子體電源使等離子體隨機轟擊已形成的所述屏障無機層表面以改變其表面型態。
4.根據權利要求3所述制作方法，其特征在于，所述預設時間為20～300秒。
5.根據權利要求3所述制作方法，其特征在于，所述預設百分比為95％以上。
6.根據權利要求3所述制作方法，其特征在于，對所述屏障無機層表面進行等離子體隨機轟擊的時間為1～10秒。
7.根據權利要求1～6任一項所述制作方法，其特征在于，在所述第一柔性材料層表面沉積制備屏障無機層的步驟包括：
利用化學氣相沉積工藝在所述第一柔性材料層表面沉積形成所述屏障無機層。
8.根據權利要求7所述制作方法，其特征在于，所述第一柔性材料層和第二柔性材料層均為聚酰亞胺材料層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司，未經京東方科技集團股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710726119.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
