[發(fā)明專利]非易失性半導體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710722754.1
• 申請日: 2017-08-22
• 公開（公告）號: CN107833589B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設計）人: 須藤直昭
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G06F11/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種非易失性半導體存儲裝置，其特征在于,包括：

存儲器陣列，至少包含第1存儲平面及第2存儲平面；

讀出部件，能夠從所述第1存儲平面或所述第2存儲平面讀出數(shù)據(jù)；

第1數(shù)據(jù)保持部件，能夠保持從所述第1存儲平面讀出的數(shù)據(jù)；

第2數(shù)據(jù)保持部件，能夠保持從所述第2存儲平面讀出的數(shù)據(jù)；

錯誤檢測糾正部件，進行數(shù)據(jù)的錯誤檢測與糾正；

輸出部件，輸出數(shù)據(jù)；以及

轉(zhuǎn)發(fā)控制部件，在所述第1數(shù)據(jù)保持部件、所述第2數(shù)據(jù)保持部件、所述錯誤檢測糾正部件及所述輸出部件之間控制數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)發(fā)，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在所述第1存儲平面受到選擇時，將由所述第1數(shù)據(jù)保持部件所保持的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至非選擇的所述第2存儲平面的所述第2數(shù)據(jù)保持部件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在所述第2存儲平面受到選擇時，將由所述第2數(shù)據(jù)保持部件所保持的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至非選擇的所述第1存儲平面的所述第1數(shù)據(jù)保持部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在所述第1存儲平面受到選擇時，將由所述第1數(shù)據(jù)保持部件所保持的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述第2數(shù)據(jù)保持部件，并且轉(zhuǎn)發(fā)至所述錯誤檢測糾正部件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在所述第2存儲平面受到選擇時，將由所述第2數(shù)據(jù)保持部件所保持的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述第1數(shù)據(jù)保持部件，并且轉(zhuǎn)發(fā)至所述錯誤檢測糾正部件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在所述第1存儲平面受到選擇時，將由所述第2數(shù)據(jù)保持部件所保持的經(jīng)所述錯誤檢測糾正部件處理的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述輸出部件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在所述第2存儲平面受到選擇時，將由所述第1數(shù)據(jù)保持部件所保持的經(jīng)所述錯誤檢測糾正部件處理的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述輸出部件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述第1數(shù)據(jù)保持部件具有第1保持區(qū)域與第2保持區(qū)域，所述第2數(shù)據(jù)保持部件具有第3保持區(qū)域與第4保持區(qū)域，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在將所述第2數(shù)據(jù)保持部件的所述第3保持區(qū)域的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述輸出部件的期間，將所述第1數(shù)據(jù)保持部件的所述第2保持區(qū)域的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述第2數(shù)據(jù)保持部件的所述第4保持區(qū)域與所述錯誤檢測糾正部件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件在將所述第2數(shù)據(jù)保持部件的所述第4保持區(qū)域的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述輸出部件的期間，將所述第1數(shù)據(jù)保持部件的所述第1保持區(qū)域的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至所述第2數(shù)據(jù)保持部件的所述第3保持區(qū)域與所述錯誤檢測糾正部件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述讀出部件進行所述第1存儲平面或所述第2存儲平面的頁面的連續(xù)讀出。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的非易失性半導體存儲裝置，其特征在于，

所述非易失性半導體存儲裝置還包括控制部，所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件基于所述控制部的控制來控制數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)發(fā)，

當所述讀出部件進行頁面的連續(xù)讀出時，所述控制部判定選擇頁面是否相當于存儲平面的最終頁面，若相當，則由所述轉(zhuǎn)發(fā)控制部件禁止從選擇存儲平面向非選擇存儲平面的讀出數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)發(fā)。