[發明專利]一種用適配體調控納米二氧化硅活性?吸收光譜測定Hg2+的方法

在審

• 申請號: 201710721366.1
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN107870152A
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 歐陽輝祥;李重寧;梁愛惠;蔣治良
• 申請（專利權）人: 廣西師范大學
• 主分類號: G01N21/31
• 分類號: G01N21/31;G01N1/38
• 代理公司: 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司45112
• 代理人: 劉梅芳

1.一種用適配體調控納米二氧化硅活性-吸收光譜測定Hg²⁺的方法，其特征是，包括如下步驟：

(1)制備已知濃度的Hg²⁺標準溶液體系：于刻度試管中，依次加入10μL-200μL 100nmol/L的Hg²⁺標準溶液、50μL-120μL 66ng/mL汞適配體(序列為5’-TTTCTTCTTTCTTCCCCCCTTGTTTGTTGTTT-3’)和10μL-20μL 100μg/mL二氧化硅，混勻，靜置10分鐘；然后在各試管中依次加入100μL-200μL 0.5moL/L葡萄糖、100μL-180μL 0.01moL/L HCl和100μL-120μL 84μmoL/L HAuCl₄，混勻，用二次蒸餾水定容至1.5mL，75℃水浴反應20分鐘，取出試管，用冰水冷卻終止反應，用二次蒸餾水定容至2.0mL；

(2)制備空白對照溶液體系：用步驟(1)的方法不加Hg²⁺標準溶液制備空白對照溶液體系；

(3)分別取按步驟(1)、(2)制備的Hg²⁺標準溶液體系及空白對照溶液體系傾入比色皿中，在分光光度計上，設定儀器參數狹縫為5nm，掃描獲得體系的吸收光譜，測定580nm處的吸光度值為A，同時測定空白對照溶液體系的吸光度值為A₀，計算ΔA＝A-A₀；

(4)以ΔA對Hg²⁺的濃度關系做工作曲線；

(5)依照步驟(1)的方法制備樣品溶液，其中加入的Hg²⁺標準溶液替換為樣品溶液，并按步驟(3)的方法測定樣品溶液的吸光度值為A_樣品，計算ΔA_樣品＝A_樣品-A₀；

(6)依據步驟(4)的工作曲線，計算出樣品溶液Hg²⁺的含量。

2.根據權利要求1所述的用適配體調控納米二氧化硅活性-吸收光譜測定Hg²⁺的方法，其特征是，步驟(1)中所述汞適配體的序列為5’-TTTCTTCTTTCTTCCCCCCTTGTTTGTTGTTT-3’。