[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710718317.2 | 申請日： | 2017-08-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108231702B | 公開（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 韓英信;林彥妙;陳中志;孟憲樑 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/31 | 分類號(hào)： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/13 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 形成 方法 | ||
1.一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，包含：
點(diǎn)膠一粘著劑于一基材上，該粘著劑包含一內(nèi)粘著環(huán)與一外粘著環(huán)，該內(nèi)粘著環(huán)與該外粘著環(huán)是相隔的兩環(huán)，該基材具有一集成電路晶粒附著于其上；
放置一蓋體于該集成電路晶粒上方，以使該蓋體的一底面覆蓋該粘著劑的至少一部分；以及
將該蓋體壓向該基材，使該粘著劑的一部份從該蓋體的該底面與該基材之間的一空間擠到該蓋體的一側(cè)壁上并覆蓋該蓋體的一足部的一半以上的該內(nèi)側(cè)壁，該粘著劑于俯視圖上所形成的一環(huán)具有一缺口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，其中該內(nèi)粘著環(huán)是位于該集成電路晶粒與該外粘著環(huán)之間，且將該蓋體壓向該基材會(huì)使該內(nèi)粘著環(huán)擠到該蓋體的該側(cè)壁上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該內(nèi)粘著環(huán)與該外粘著環(huán)是被點(diǎn)膠在一足夠短的間距內(nèi)，使該內(nèi)粘著環(huán)與該外粘著環(huán)在將該蓋體壓向該基材的期間被擠壓成彼此毗鄰。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將該蓋體壓向該基材使該外粘著環(huán)從該蓋體的該底面與該基材之間的該空間擠到該蓋體的一外側(cè)壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，將該蓋體壓向該基材使在該蓋體的該側(cè)壁上的該內(nèi)粘著環(huán)高于在該蓋體的該外側(cè)壁上的該外粘著環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將該蓋體壓向該基材使在該蓋體的該側(cè)壁上的該內(nèi)粘著環(huán)與該集成電路晶粒是間隔的。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包含：
點(diǎn)膠一底部填充物于該集成電路晶粒與該基材之間，其中將該蓋體壓向該基材使在該蓋體的該側(cè)壁上的該內(nèi)粘著環(huán)與該底部填充物是間隔的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將該蓋體壓向該基材使在該蓋體的該底面與該基材之間的該粘著劑厚于在該蓋體的該側(cè)壁上的該粘著劑。
9.一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，包含：
將一集成電路晶粒附著于一基材上；
點(diǎn)膠一內(nèi)粘著環(huán)與一外粘著環(huán)于該基材上，該內(nèi)粘著環(huán)與該外粘著環(huán)是相隔的兩環(huán)；以及
將一蓋體的一足部壓向該內(nèi)粘著環(huán)與該外粘著環(huán)，使該內(nèi)粘著環(huán)與該外粘著環(huán)在該足部的下方合并在一起形成一底部，并使該內(nèi)粘著環(huán)擠到該足部的一內(nèi)側(cè)壁上且使該外粘著環(huán)擠到該足部的一外側(cè)壁上，該內(nèi)粘著環(huán)于俯視圖上具有一第一缺口，該外粘著環(huán)于俯視圖上具有一第二缺口，該第一缺口及該第二缺口是實(shí)質(zhì)上對(duì)齊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在該內(nèi)側(cè)壁上的該內(nèi)粘著環(huán)高于在該外側(cè)壁上的該外粘著環(huán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在該內(nèi)側(cè)壁上的該內(nèi)粘著環(huán)與該集成電路晶粒彼此分隔。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包含：
點(diǎn)膠一底部填充物于該集成電路晶粒與該基材之間，其中在該內(nèi)側(cè)壁上的該內(nèi)粘著環(huán)與該底部填充物彼此分隔。
13.一種形成半導(dǎo)體封裝的方法，其特征在于，包含：
將一集成電路晶粒附著于一基材上；
點(diǎn)膠一第一粘著劑于該集成電路晶粒上；
點(diǎn)膠一第二粘著劑于該基材上，該第二粘著劑包含一內(nèi)粘著環(huán)與一外粘著環(huán)，該內(nèi)粘著環(huán)與該外粘著環(huán)是相隔的兩環(huán)；以及
將一蓋體的一覆蓋部壓向該第一粘著劑及將該蓋體的一足部壓向該第二粘著劑，使在該足部的一內(nèi)側(cè)壁上的該第二粘著劑的一第一部高于在該足部的一外側(cè)壁上的該第二粘著劑的一第二部且低于該第一粘著劑，該第二粘著劑的該第一部于俯視圖上所形成的一環(huán)具有一缺口。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，該第二粘著劑比該第一粘著劑具有較好的粘著力。
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