[發明專利]一種微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器

在審

• 申請號: 201710717815.5
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN107611531A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 王鑫;孫超;戴永勝
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01P1/203;H01P1/22
• 代理公司: 南京理工大學專利中心32203
• 代理人: 薛云燕

1.一種微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器，其特征在于：包括數控衰減芯片WSD和超寬帶濾波器F，所述超寬帶濾波器F的上表面貼裝有數控衰減芯片WSD、第一帶狀線(Lin)和第二帶狀線(Lout)，第一帶狀線(Lin)和第二帶狀線(Lout)均連接數控衰減芯片WSD，所述的微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器的一端貼裝信號輸入端口(P1)，另一端貼裝信號輸出端口(P2)，一個側面貼裝第一接地端(GND1)，另一個側面依次貼裝數控衰減芯片WSD的第一電壓控制端接口(P3)、第二電壓控制端接口(P4)、第三電壓控制端接口(P5)、第四電壓控制端接口(P6)、第五電壓控制端接口(P7)、第六電壓控制端接口(P8)、第七電壓控制端接口(P9)、第八電壓控制端接口(P10)、第九電壓控制端接口(P11)、第十電壓控制端接口(P12)、第二接地端(GND2)；

所述超寬帶濾波器F包括金屬柱(H1)、第二輸入電感(Lin2)、第一耦合線(L1)、第二耦合線(L2)、第三接地耦合線(L3)、第一接地短路枝節(Ld1)、第二接地短路枝節(Ld2)、下缺陷地(SD1)、上缺陷地(SD2)；所述第一耦合線(L1)一端與第二輸入電感(Lin2)相連，另一端與第二耦合線(L2)一端相連，同時與第三接地耦合線(L3)一端相連，第三接地耦合線(L3)的另一端接地；所述第一接地短路枝節(Ld1)一端與第一耦合線(L1)一端相連，另一端接地；第二接地短路枝節(Ld2)一端與第二耦合線(L2)另一端相連，另一端接地；其中第一耦合線(L1)與第二耦合線(L2)長度寬度相等，呈對稱分布；第一接地短路枝節(Ld1)與第二接地短路枝節(Ld2)長度寬度相等，呈對稱分布；金屬柱(H1)底部與第二輸入電感(Lin2)相連，金屬柱(H1)頂部與第二帶狀線(Lout)相連；第二帶狀線(Lout)為外部貼裝數控衰減芯片WSD預留的輸出焊接端口，下缺陷地(SD1)第一開孔包括依次相連的第一矩形開孔(R1)、第一長條形開孔(R2)和第二矩形開孔(R3)，其中第一矩形開孔(R1)和第二矩形開孔(R3)的面積相同；下缺陷地(SD1)第二開孔包括依次相連的第三矩形開孔(R4)、第二長條形開孔(R5)和第四矩形開孔(R6)，其中第三矩形開孔(R4)的面積大于第四矩形開孔(R6)的面積；下缺陷地(SD1)第三開孔包括依次相連的第五矩形開孔(R7)、第三長條形開孔(R8)和第六矩形開孔(R9)，其中第五矩形開孔(R7)和第六矩形開孔(R9)的面積相同；上缺陷地(SD2)與下缺陷地(SD1)結構相同。

2.根據權利要求1所述的微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器，其特征在于，所述信號輸入端口(P1)和信號輸出端口(P2)均為共面波導結構的50歐姆阻抗匹配端口。

3.根據權利要求1所述的微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器，其特征在于，所述信號輸入端口(P1)、信號輸出端口(P2)、第一電壓控制端接口(P3)、第二電壓控制端接口(P4)、第三電壓控制端接口(P5)、第四電壓控制端接口(P6)、第五電壓控制端接口(P7)、第六電壓控制端接口(P8)、第七電壓控制端接口(P9)、第八電壓控制端接口(P10)、第九電壓控制端接口(P11)、第十電壓控制端接口(P12)均為外部封裝引腳。

4.根據權利要求1所述的微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器，其特征在于，所述信號輸入端口(P1)、信號輸出端口(P2)、第一電壓控制端接口(P3)、第二電壓控制端接口(P4)、第三電壓控制端接口(P5)、第四電壓控制端接口(P6)、第五電壓控制端接口(P7)、第六電壓控制端接口(P8)、第七電壓控制端接口(P9)、第八電壓控制端接口(P10)、第九電壓控制端接口(P11)、第十電壓控制端接口(P12)的上端均設有延伸折彎部，貼裝在微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器上表面，下端均設有延伸折彎部，貼裝在微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器下表面。

5.根據權利要求1所述的微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器，其特征在于，所述數控衰減芯片WSD和所述濾波器F通過低溫共燒陶瓷技術實現一體式集成封裝。

6.根據權利要求1所述的微型短路枝節加載超寬帶濾波衰減器，其特征在于，所述數控衰減芯片WSD模塊的型號為WSD000120-06。