[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710713244.8
• 申請(qǐng)日: 2017-08-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108630689A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奧村祐介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種獲得構(gòu)成柱狀部的膜中的接頭部正下方部分的較高可靠性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，第2柱狀部CL2的中心軸C2相對(duì)于第1柱狀部CL1的中心軸C1向沿基底層10的表面的第1方向Y1偏移。第1柱狀部CL1的上端的從中心軸C1起沿第1方向Y1的寬度W1大于第1柱狀部CL1的上端的從中心軸C1起沿第2方向Y2的寬度W2。

[相關(guān)申請(qǐng)案]

本申請(qǐng)案享有以日本專利申請(qǐng)案2017-59911號(hào)(申請(qǐng)日：2017年3月24日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)案通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)案而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)案的所有內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

提出了包含多個(gè)電極層隔著絕緣層而積層的積層體、及在該積層體內(nèi)于積層方向上延伸的柱狀部的三維存儲(chǔ)器。形成柱狀部的步驟包含在積層體形成空穴的步驟、及在該空穴內(nèi)形成電荷儲(chǔ)存膜或半導(dǎo)體主體的步驟。

另外，也提出了分多次進(jìn)行積層體的形成及空穴的形成。在下層側(cè)的積層體形成第1空穴后，在該下層側(cè)的積層體上積層上層側(cè)的積層體，在該上層側(cè)的積層體形成第2空穴。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種獲得構(gòu)成柱狀部的膜中的接頭部正下方部分的較高可靠性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包含基底層、第1積層部、第1柱狀部、第2積層部、第2柱狀部、中間層、及接頭部。所述第1積層部包含設(shè)置于所述基底層上且隔著第1絕緣體而積層的多個(gè)第1電極層。所述第1柱狀部包含在所述第1積層部?jī)?nèi)于所述第1積層部的積層方向上延伸的第1半導(dǎo)體主體、及設(shè)置于所述第1半導(dǎo)體主體與所述第1電極層之間的第1電荷儲(chǔ)存部。所述第2積層部包含設(shè)置于所述第1積層部上且隔著第2絕緣體而積層的多個(gè)第2電極層。所述第2柱狀部包含在所述第2積層部?jī)?nèi)于所述第2積層部的積層方向上延伸的第2半導(dǎo)體主體、及設(shè)置于所述第2半導(dǎo)體主體與所述第2電極層之間的第2電荷儲(chǔ)存部。所述中間層設(shè)置于所述第1積層部與所述第2積層部之間。所述接頭部設(shè)置于所述中間層中的所述第1柱狀部與所述第2柱狀部之間，且具有比所述第1柱狀部的直徑及所述第2柱狀部的直徑更大的直徑，且包含與所述第1半導(dǎo)體主體及所述第2半導(dǎo)體主體連續(xù)的中間半導(dǎo)體主體。所述第2柱狀部的中心軸相對(duì)于所述第1柱狀部的中心軸向沿所述基底層的表面的第1方向偏移。所述第1柱狀部的上端的從所述第1柱狀部的所述中心軸起沿所述第1方向的寬度大于所述第1柱狀部的所述上端的從所述第1柱狀部的所述中心軸起沿與所述第1方向相反第2方向的寬度。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意立體圖。

圖2是實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖。

圖3(a)是實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中的第2積層部的局部示意放大剖視圖，圖3(b)是實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中的第1積層部的局部示意放大剖視圖。

圖4～23是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意剖視圖。

圖24是實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意立體圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，各附圖中，對(duì)相同要素標(biāo)注相同符號(hào)。

在實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體裝置，例如對(duì)包含三維構(gòu)造的存儲(chǔ)器單元陣列的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行說(shuō)明。

圖1是實(shí)施方式的存儲(chǔ)器單元陣列1的示意立體圖。

圖2是存儲(chǔ)器單元陣列1的示意剖視圖。

在圖1中，將相對(duì)于襯底10的主面平行的方向、且相互正交的兩個(gè)方向設(shè)為X方向及Y方向，將相對(duì)于該X方向及Y方向二者正交的方向設(shè)為Z方向(積層方向)。