[發(fā)明專利]半導(dǎo)體測(cè)試裝置、半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)以及半導(dǎo)體測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710712004.6
• 申請(qǐng)日: 2017-08-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109425810B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳顥;林鴻志;王敏哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 路勇

本揭露提供一種半導(dǎo)體測(cè)試裝置、半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)以及半導(dǎo)體測(cè)試方法，其中半導(dǎo)體測(cè)試裝置包含：襯底；金手指觸片結(jié)構(gòu)，放置于所述襯底的一側(cè)。本揭露提供的半導(dǎo)體測(cè)試裝置可以提升開(kāi)發(fā)階段時(shí)的板階可靠度測(cè)試(Board Level Reliability Tests,BLRT)的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露涉及半導(dǎo)體的領(lǐng)域，尤指一種半導(dǎo)體測(cè)試裝置、半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)以及半導(dǎo)體測(cè)試方法。

背景技術(shù)

目前全球市場(chǎng)迫使大量產(chǎn)品的制造商以低價(jià)提供高質(zhì)量的產(chǎn)品。因此，重要的是要提高合格率及過(guò)程效率，以便將生產(chǎn)成本降到最低。此種情況尤其發(fā)生在半導(dǎo)體制造的領(lǐng)域，這是因?yàn)樗鲱I(lǐng)域?qū)⒓舛思夹g(shù)(cutting edge technology)與大量生產(chǎn)技術(shù)結(jié)合。因此，半導(dǎo)體制造商的目標(biāo)在于改進(jìn)開(kāi)發(fā)階段的效率同時(shí)提高量產(chǎn)階段過(guò)程的合格率。

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體測(cè)試裝置以及相關(guān)系統(tǒng)和方法，以提升開(kāi)發(fā)階段時(shí)的板階可靠度測(cè)試(Board Level Reliability Tests,BLRT)的效率。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露的一些實(shí)施例為提供一種半導(dǎo)體測(cè)試裝置，包含：襯底；金手指觸片結(jié)構(gòu)，放置于所述襯底的一側(cè)。

本揭露的一些實(shí)施例為提供一種半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)，包含：測(cè)試載板，具有多個(gè)溝道；插槽，放置于所述測(cè)試載板上；多個(gè)導(dǎo)線，放置于所述插槽；以及如權(quán)利要求書(shū)第1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體測(cè)試裝置插入所述插槽；其中所述半導(dǎo)體測(cè)試裝置的所述金手指觸片結(jié)構(gòu)的多個(gè)導(dǎo)線分別接觸所述插槽的所述多個(gè)導(dǎo)線。

本揭露的一些實(shí)施例為提供一種半導(dǎo)體測(cè)試方法，用來(lái)測(cè)試待測(cè)封裝組件在襯底上的板階可靠度，其中所述襯底是利用金手指觸片結(jié)構(gòu)連接到測(cè)試載板，所述方法包含：利用短反饋路徑來(lái)測(cè)試所述金手指觸片結(jié)構(gòu)；將所述待測(cè)封裝組件以表面粘著技術(shù)焊粘于所述襯底；以及利用長(zhǎng)反饋路徑測(cè)試來(lái)測(cè)試所述待測(cè)封裝組件在所述襯底上的板階可靠度。

本揭露所提出的半導(dǎo)體測(cè)試裝置、半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)以及半導(dǎo)體測(cè)試方法可提升板階可靠度測(cè)試(Board Level Reliability Tests,BLRT)的效率。

附圖說(shuō)明

為協(xié)助讀者達(dá)到最佳理解效果，建議在閱讀本揭露時(shí)同時(shí)參考附件圖標(biāo)及其詳細(xì)文本敘述說(shuō)明。請(qǐng)注意為遵循業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)作法，本專利說(shuō)明書(shū)中的圖式不一定按照正確的比例繪制。在某些圖式中，尺寸可能刻意放大或縮小，以協(xié)助讀者清楚了解其中的討論內(nèi)容。

圖1為本揭露的半導(dǎo)體測(cè)試裝置的實(shí)施例的示意圖；

圖2為本揭露圖1的半導(dǎo)體測(cè)試裝置的側(cè)視圖；

圖3為圖1的半導(dǎo)體測(cè)試裝置插設(shè)于半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試載板的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的實(shí)施例的示意圖；

圖4為圖1的半導(dǎo)體測(cè)試裝置插設(shè)于半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試載板的側(cè)視圖；

圖5為本揭露的半導(dǎo)體測(cè)試裝置插設(shè)于半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試載板的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的另一實(shí)施例的示意圖；

圖6和圖7為本揭露的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試線路布置的實(shí)施例示意圖；

圖8為本揭露的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試線路布置的另一實(shí)施例示意圖；

圖9為圖6～7的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試線路延伸的實(shí)施例示意圖；

圖10為圖8的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試線路延伸的實(shí)施例示意圖；

圖11為本揭露的半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)在高低溫測(cè)試時(shí)的實(shí)施例示意圖；以及

圖12為本揭露的半導(dǎo)體測(cè)試方法的實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式