[發明專利]電子設備

有效

• 申請號: 201710711765.X
• 申請日: 2017-08-18
• 公開（公告）號: CN107978333B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 李基遠
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 任靜;許偉群

一種電子設備包括半導體存儲器。半導體存儲器包括：一個或更多個阻變儲存單元，每個阻變儲存單元被構造為呈現用于儲存數據的不同電阻值；至少一個參考電阻晶體管，以產生參考電阻值；參考電阻調節塊，其耦接到至少一個參考電阻晶體管，并且被構造為將信號供給到至少一個參考電阻晶體管，其能夠引起參考電阻晶體管的電阻值的調節；以及數據感測塊，其耦接到一個或更多個阻變儲存單元和至少一個參考電阻晶體管，數據感測塊被構造為感測在一個或更多個阻變儲存單元之中選中的阻變儲存單元的電阻值和至少一個參考電阻晶體管的電阻值，以及比較感測的電阻值以確定選中的阻變儲存單元的數據。

相關申請的交叉引用

本申請要求2016年10月24日提交的申請號為10-2016-0138268、題為“電子設備”(“ELECTRONIC DEVICE”)的韓國專利申請的優先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

本專利文獻涉及存儲電路或存儲器件及其在電子設備或電子系統中的應用。

背景技術

近來，隨著電子裝置趨向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，在本領域中需要能夠將信息儲存在諸如計算機、便攜式通信設備等的各種電子裝置中的半導體器件，并且已經對半導體器件進行了研究。這樣的半導體器件包括可以使用根據施加的電壓或電流在不同電阻狀態之間切換的特性來儲存數據的半導體器件，例如，RRAM(電阻式隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電式隨機存取存儲器)、MRAM(磁性隨機存取存儲器)、電熔絲等。

■發明內容

本專利文獻中公開的技術包括存儲電路或存儲器件及其在電子設備或電子系統中的應用以及電子設備的各種實施方式，該電子設備通過使用源極電壓來控制用作參考電阻元件的晶體管元件的電阻值，使得作為用于數據感測的參考的參考電阻值根據溫度而被精確地調節。

在一個方面，電子設備可以包括半導體存儲器，半導體存儲器包括：一個或更多個阻變儲存單元，每個阻變儲存單元被構造為呈現用于儲存數據的不同電阻值；至少一個參考電阻晶體管，以產生參考電阻值；參考電阻調節塊，其耦接到至少一個參考電阻晶體管，并且被構造為將信號供給到至少一個參考電阻晶體管，，其能夠引起參考電阻晶體管的電阻值的調節；以及數據感測塊，其耦接到一個或更多個阻變儲存單元和至少一個參考電阻晶體管，數據感測塊被構造為感測在一個或更多個阻變儲存單元之中選中的阻變儲存單元的電阻值和至少一個參考電阻晶體管的電阻值，以及比較感測的電阻值以確定選中的阻變儲存單元的數據。

以上電子設備的實施方式可以包括下面的一個或更多個。

數據感測塊包括第一輸入端子和第二輸入端子，并且可以被構造為將流過第一輸入端子和選中的阻變儲存單元的讀取電流與流過第二輸入端子和參考電阻晶體管的參考電流進行比較。施加到參考電阻晶體管的柵極的偏置電壓可以是固定的。由參考電阻調節塊供給的信號可以包括被提供給參考電阻晶體管的源極的源極電壓。參考電阻調節塊可以被構造為根據溫度來調節源極電壓，并且可以包括：電壓發生單元，其被構造為產生根據溫度來調節的隨溫度而變的電壓；以及微調單元，其耦接到電壓發生單元以接收隨溫度而變的電壓，并且以可操作方式通過以基于電壓調節代碼的分壓比對隨溫度而變的電壓分壓來產生源極電壓。參考電阻調節塊可以包括：第一電壓發生單元，其以可操作方式產生根據第一溫度階段中的溫度被調節為第一斜率的源極電壓；第二電壓發生單元，其以可操作方式產生根據第二溫度階段中的溫度被調節為第二斜率的源極電壓；以及溫度感測單元，其耦接到第一電壓發生單元和第二電壓發生單元，以在第一溫度階段中激活第一電壓發生單元，而在第二溫度階段中激活第二電壓發生單元。

電子設備還可以包括微處理器，該微處理器包括：控制單元，其被配置為從微處理器的外部接收包括命令的信號，以及執行命令的提取、解碼或微處理器的信號的輸入或輸出的控制；操作單元，其被配置為基于控制單元解碼命令的結果來執行操作；以及存儲單元，其被配置為儲存用于執行操作的數據、與執行操作的結果相對應的數據或被執行操作的數據的地址，其中，半導體存儲器是微處理器中的存儲單元的部分。