[發(fā)明專利]電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710711765.X | 申請(qǐng)日: | 2017-08-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107978333B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李基遠(yuǎn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C13/00 | 分類號(hào): | G11C13/00 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人: | 任靜;許偉群 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子設(shè)備 | ||
1.一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電子設(shè)備,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括:
一個(gè)或更多個(gè)阻變儲(chǔ)存單元,每個(gè)阻變儲(chǔ)存單元被構(gòu)造為呈現(xiàn)用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的不同電阻值;
至少一個(gè)參考電阻晶體管,以產(chǎn)生參考電阻值;
參考電阻調(diào)節(jié)塊,其耦接到所述至少一個(gè)參考電阻晶體管,并且被構(gòu)造為將信號(hào)供給到所述至少一個(gè)參考電阻晶體管,其能夠引起參考電阻晶體管的電阻值的調(diào)節(jié);以及
數(shù)據(jù)感測(cè)塊,其耦接到所述一個(gè)或更多個(gè)阻變儲(chǔ)存單元和所述至少一個(gè)參考電阻晶體管,數(shù)據(jù)感測(cè)塊被構(gòu)造為感測(cè)在所述一個(gè)或更多個(gè)阻變儲(chǔ)存單元之中選中的阻變儲(chǔ)存單元的電阻值和所述至少一個(gè)參考電阻晶體管的電阻值,以及比較感測(cè)的電阻值以確定選中的阻變儲(chǔ)存單元的數(shù)據(jù),并且
其中由參考電阻調(diào)節(jié)塊供給的信號(hào)包括被提供給參考電阻晶體管的源極的源極電壓,以及
其中參考電阻調(diào)節(jié)塊被構(gòu)造為根據(jù)溫度來(lái)調(diào)節(jié)源極電壓,并且參考電阻調(diào)節(jié)塊包括:
電壓發(fā)生單元,其被構(gòu)造為產(chǎn)生根據(jù)溫度來(lái)調(diào)節(jié)的隨溫度而變的電壓;以及
微調(diào)單元,其耦接到電壓發(fā)生單元以接收隨溫度而變的電壓,并且以可操作方式通過(guò)以基于電壓調(diào)節(jié)代碼的分壓比對(duì)隨溫度而變的電壓分壓來(lái)產(chǎn)生源極電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其中,數(shù)據(jù)感測(cè)塊包括第一輸入端子和第二輸入端子,并且被構(gòu)造為將流過(guò)第一輸入端子和選中的阻變儲(chǔ)存單元的讀取電流與流過(guò)第二輸入端子和參考電阻晶體管的參考電流進(jìn)行比較。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其中,施加到參考電阻晶體管的柵極的偏置電壓是固定的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其中,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器還包括:
第一晶體管和第二晶體管,其串聯(lián)耦接在第一輸入端子和所述一個(gè)或更多個(gè)阻變儲(chǔ)存單元之間,并且以可操作方式分別響應(yīng)于讀取使能信號(hào)和鉗位信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)斷;以及
第三晶體管和第四晶體管,其串聯(lián)耦接在第二輸入端子和參考電阻晶體管之間,并且以可操作方式分別響應(yīng)于讀取使能信號(hào)和鉗位信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)斷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其中,每個(gè)阻變儲(chǔ)存單元包括:
選擇元件;以及
可變電阻元件,其被構(gòu)造為以可操作方式呈現(xiàn)表示儲(chǔ)存在阻變儲(chǔ)存單元中的不同數(shù)據(jù)的不同電阻值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備,其中,可變電阻元件包括金屬氧化物或其中隧道阻擋層介于兩個(gè)鐵磁層之間的結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,還包括微處理器,所述微處理器包括:
控制單元,其被配置為從微處理器的外部接收包括命令的信號(hào),以及執(zhí)行命令的提取、解碼或?qū)ξ⑻幚砥鞯男盘?hào)的輸入或輸出的控制;
操作單元,其被配置為基于控制單元解碼命令的結(jié)果來(lái)執(zhí)行操作;以及
存儲(chǔ)單元,其被配置為儲(chǔ)存用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)或被執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址,
其中,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是微處理器中的存儲(chǔ)單元的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,還包括處理器,所述處理器包括:
核心單元,其被配置為基于從處理器的外部輸入的命令,通過(guò)使用數(shù)據(jù)執(zhí)行與命令相對(duì)應(yīng)的操作;
高速緩沖存儲(chǔ)單元,其被配置為儲(chǔ)存用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結(jié)果相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)或被執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址;以及
總線接口,其連接在核心單元和高速緩沖存儲(chǔ)單元之間,并且被配置為在核心單元和高速緩沖存儲(chǔ)單元之間傳輸數(shù)據(jù),
其中,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是處理器中的高速緩沖存儲(chǔ)單元的部分。
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