[發(fā)明專利]一種篩選異常晶粒的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710708448.2
• 申請(qǐng)日: 2017-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN107481951B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范慧麗;黃瀚毅;孫旭;張家宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及通過晶粒的光電性能參數(shù)篩選異常晶粒的方法，本發(fā)明通過測(cè)試晶粒的光電特性，并通過晶粒坐標(biāo)轉(zhuǎn)換的方法來篩選出異常晶粒，提高晶粒鏡檢作業(yè)時(shí)的工作效率，并且減少漏檢現(xiàn)象發(fā)生，減少客訴率，同時(shí)提高工作效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種篩選異常晶粒的方法。

背景技術(shù)

GaN 基材料是一種理想的短波長(zhǎng)發(fā)光器件材料，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋白光照明、背光、及顯屏等各個(gè)領(lǐng)域。隨著外延技術(shù)能力提升，晶粒產(chǎn)出集中度得到極大改善，晶粒不全測(cè)不分選流程對(duì)于晶粒生產(chǎn)及封裝廠商都有顯著降成本效益，但此流程實(shí)施存在一些難題。如抽測(cè)經(jīng)ESD測(cè)試后被靜電擊穿的晶粒，因不會(huì)經(jīng)過全測(cè)電性篩選，需通過外觀鏡檢將其挑除，然而，當(dāng)晶粒外觀是否有損傷完全依賴人工判斷時(shí)，晶粒外觀損失與否很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，人工鏡檢經(jīng)常出現(xiàn)漏檢現(xiàn)象，尤其是存在爆點(diǎn)的晶粒，是客訴的主要原因。

因此找到一種全新的篩選方式，可以將靜電擊穿的晶粒有效篩除，減少電性異常造成的零星外觀問題檢出率低的問題，影響產(chǎn)品品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明首先提出一種篩選異常晶粒的方法，其包括如下步驟：

步驟1、提供一晶片，所述晶片包括一襯底，以及位于所述襯底上的復(fù)數(shù)個(gè)間隔排列的晶粒；

步驟2、對(duì)所述復(fù)數(shù)個(gè)晶粒中的部分晶粒進(jìn)行光電性能測(cè)試，獲得光電性能測(cè)試結(jié)果，其中反向漏電流參數(shù)記為IR0；對(duì)所述部分晶粒再次進(jìn)行ESD性能測(cè)試，獲得ESD性能測(cè)試結(jié)果，其中反向漏電流參數(shù)記為IR1；

步驟3、用ESD性能測(cè)試結(jié)果中反向漏電流參數(shù)IR1的值替換光電性能測(cè)試結(jié)果中反向漏電參數(shù)IR0的值， 由此得到一晶粒抽測(cè)結(jié)果，所述抽測(cè)結(jié)果中反向漏電參數(shù)記為IR0’，設(shè)定IR0’的標(biāo)準(zhǔn)值，反向漏電流IR0’大于標(biāo)準(zhǔn)值的晶粒判定為異常晶粒；

步驟4、根據(jù)所述抽測(cè)結(jié)果繪制晶粒抽測(cè)圖，并標(biāo)記異常晶粒在晶粒抽測(cè)圖中的位置坐標(biāo)為A（a,b）；

步驟5、對(duì)所述晶片進(jìn)行襯底減薄、切割、劈裂工藝，形成復(fù)數(shù)個(gè)完全獨(dú)立的晶粒；

步驟6、提供步驟5中晶粒的全測(cè)圖，所述異常晶粒在全測(cè)圖中的位置坐標(biāo)為A’(a’，b’），坐標(biāo)A’ (a’，b’）通過坐標(biāo)A（a,b）的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換得到；

步驟7、挑選所述坐標(biāo)為A’的異常晶粒。

優(yōu)選的，所述抽測(cè)圖具有一個(gè)抽測(cè)定位標(biāo)記，所述全測(cè)圖具有一個(gè)全測(cè)定位 ，而所述全測(cè)定位標(biāo)記對(duì)應(yīng)于所述抽測(cè)定位標(biāo)記。

優(yōu)選的，所述抽測(cè)圖中反向漏電流IR0’的值等于IR1的值。

優(yōu)選的，不同尺寸和發(fā)光波長(zhǎng)的晶粒其IR0’的標(biāo)準(zhǔn)值不同。

優(yōu)選的，所述坐標(biāo)坐標(biāo)為A（a,b）與坐標(biāo)A’ (a’，b’）的坐標(biāo)關(guān)系為：a’=a×晶粒在X方向的抽測(cè)間距，b’=b×晶粒在Y方向的抽測(cè)間距，所述抽測(cè)間距是晶粒在抽測(cè)過程中設(shè)定的一顆晶粒至另一顆晶粒的移動(dòng)間距。

優(yōu)選的，所述全測(cè)圖包括單片晶片中全部晶粒的坐標(biāo)。

優(yōu)選的，所述晶粒的ESD測(cè)試模式包括人體放電模式和機(jī)械放電模式。

優(yōu)選的，對(duì)晶粒光電性能的測(cè)試結(jié)果還包括晶粒的正向電壓、反向電流、光強(qiáng)、光強(qiáng)分布特性、峰值發(fā)射波長(zhǎng)、光譜輻射帶寬和光譜功率分布。

優(yōu)選的，所述晶粒在通入電流時(shí)可以發(fā)出藍(lán)光或者紅光或者紫外光或者綠光或者白光中的任意一種光。

本發(fā)明至少具有以下有益效果：通過測(cè)試晶粒的光電特性，并通過異常晶粒坐標(biāo)轉(zhuǎn)換的方法來判定異常晶粒在全測(cè)圖中的位置，進(jìn)而對(duì)異常晶粒進(jìn)行篩除，提高晶粒鏡檢作業(yè)時(shí)的工作效率，并且防止漏檢現(xiàn)象發(fā)生，減少客訴率，同時(shí)提高工作效率。