[發明專利]一種篩選異常晶粒的方法

有效

• 申請號: 201710708448.2
• 申請日: 2017-08-17
• 公開（公告）號: CN107481951B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 范慧麗;黃瀚毅;孫旭;張家宏
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種篩選異常晶粒的方法，其包括如下步驟：

步驟1、提供一晶片，所述晶片包括一襯底，以及位于所述襯底上的復數個陣列的晶粒；

步驟2、對所述復數個晶粒中的部分晶粒進行光電性能測試，獲得光電性能測試結果，其中反向漏電流參數記為IR0；再對所述已測試光電性能的晶粒再次進行ESD性能測試，獲得ESD性能測試結果，其中反向漏電流參數記為IR1；

步驟3、用ESD性能測試結果中反向漏電流參數IR1的值替換光電性能測試結果中反向漏電流參數IR0的值， 由此得到一晶粒抽測結果，所述抽測結果中反向漏電流參數記為IR0’，設定IR0’的標準值，反向漏電流IR0’大于標準值的晶粒判定為異常晶粒；

步驟4、根據所述抽測結果繪制晶粒抽測圖，并標記異常晶粒在晶粒抽測圖中的位置坐標為A（a,b）；

步驟5、對所述晶片進行襯底減薄、切割、劈裂工藝，形成復數個完全獨立的晶粒；

步驟6、提供步驟5中晶粒的全測圖，所述異常晶粒在全測圖中的位置坐標為A’(a’，b’），坐標A’ (a’，b’）通過坐標A（a,b）轉換得到；

步驟7、挑選所述坐標為A’(a’，b’）的異常晶粒。

2.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：所述抽測圖具有一個抽測定位標記，所述全測圖具有一個全測定位標記，而所述全測定位標記對應于所述抽測定位標記。

3.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：所述抽測圖中反向漏電流IR0’的值等于IR1的值。

4.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：不同尺寸和發光波長的晶粒其IR0’的標準值不同。

5.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：所述坐標坐標為A（a,b）與坐標A’ (a’，b’）的坐標關系為：a’=a×晶粒在X方向的抽測間距，b’=b×晶粒在Y方向的抽測間距，所述抽測間距是晶粒在抽測過程中設定的一顆晶粒至另一顆晶粒的移動間距。

6.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：所述全測圖包括單片晶片中全部晶粒的坐標。

7.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：所述晶粒的ESD測試模式包括人體放電模式和機械放電模式。

8.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：對晶粒光電性能的測試結果還包括晶粒的正向電壓、光強及分布特性、峰值發射波長、光譜輻射帶寬和光譜功率分布。

9.根據權利要求1所述的一種篩選異常晶粒的方法，其特征在于：所述晶粒在通入電流時可以發出藍光或者紅光或者紫外光或者綠光或者白光中的任意一種光。