[發明專利]一種濕制程裝置在審
| 申請號: | 201710707081.2 | 申請日: | 2017-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN107275267A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 何敏博 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕制程 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及濕制程工藝設備的技術領域,尤其涉及一種濕制程裝置。
背景技術
目前,半導體、電路板、液晶顯示屏(LCD,Light Crystal Display)、發光二級管(LED,Light Emitting Diode)以及觸摸屏等制作過程中都采用了濕制程生產工藝。而這些濕制程工藝設備如刻蝕槽、種板槽或其他加熱藥流槽均存在加熱情況下溶劑大量揮發的問題,這不僅會造成溶劑浪費,還會導致體系化學組成變化,造成制程波動。同時,揮發的溶劑會在藥流槽頂部凝結,形成液滴滴下,滴落在玻璃基板表面造成玻璃基本表面溶劑分布不均勻。
發明內容
本發明提供了一種濕制程反應槽,用于改善在濕制程過程中溶劑揮發、溶劑制程波動和玻璃基板表面不均勻的現象。所述濕制程裝置包括:
腔室及設于所述腔室的藥液槽,所述腔室包括兩個相對的側壁及連接兩個相對側壁的位于藥液槽上方的頂壁和位于藥液槽下方的底壁;
至少一個第一導流板和至少一個第二導流板,所述至少一個第一導流板一端與所述頂壁呈夾角固定將所述頂壁與所述藥流槽分隔,另一端與所述側壁之間形成有間隙;
所述至少一個第二導流板一端與所述側壁連接且與所述第一導流板平行相對,所述至少一個第二導流板位于所述頂壁與所述至少一個第一導流板之間且遮擋所述間隙;
所述至少一個第一導流板和至少一個第二導流板的外側面上均覆蓋有親溶劑涂層。
其中,所述第一導流板與所述第二導流板均由導熱性材料制成。
其中,所述第一導流板和第二導流板均為兩個。
所述兩個第一導流板均包括第一端和與第一端相對的第二端,所述兩個第一導流板的第一端均與所述頂壁呈夾角固定,兩個第一導流板的第二端與所述兩個側壁之間具有間隙;
所述兩個第二導流板分別與所述兩個側壁固定;且所述兩個第二導流板分別與所述兩個第一導流板平行相對。
其中,所述導流板的上表面均設置有冷凝水管路。
其中,所述夾角大于等于45度。
其中,所述間隙的寬度為1mm~5mm,且所述第二導流板與所述第一導流板之間的距離為2mm~5mm。
其中,所述親溶劑涂層為水性環氧樹脂體系涂層或有機硅烷系涂層。
其中,所述濕制程裝置包括:上噴淋管路、下噴淋管路及位于所述上噴淋管路和下噴淋管路之間的傳送部,上噴淋管路、下噴淋管路之間的傳送部位于所述第一導流板與所述藥液槽之間的位置。
其中,所述腔體的頂壁設有抽風口。
其中,所述第一導流板的長度與第二導流板的長度一致,且所述導流板的寬度大于所述第二導流板的寬度。
綜上所述,本發明具有以下有益效果:
由于導流板上表面環繞冷凝水管路、下表面涂層的親溶劑設計以及導流板與所述藥流槽的傾斜角設計,使得藥流槽中的溶劑蒸汽在導流板下表面凝結成小液滴,順沿導流板斜面下滑至藥流槽,從而大幅度減少了溶劑揮發造成的浪費,減輕了藥液組成變化造成的制程波動,改善了溶劑蒸汽液滴從槽頂滴落造成玻璃基板的局部分布不均勻的問題。
附圖說明
為了更清楚的說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
圖1是本發明實施例提供的濕制程裝置正面視圖。
圖2是圖1所示的濕制程裝置的一種實施方式的側視圖。
圖3為圖1所示的濕制程裝置的另一種實施方式的側視圖。
圖4是圖1所示的第一導流板的結構示意圖。
圖5是圖1所示的第二導流板的結構示意圖。
圖6是圖1所示的所述第一導流板和所述第二導流板表面親溶劑涂層的潤濕角示意圖。
圖7是圖1所示的所述第一導流板與頂壁夾角的示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
圖1為本發明實施例提供的濕制程裝置正面視圖,圖2為圖1所示濕制程裝置的一種實施方式的側視圖。請一并參閱圖1和圖2,本發明實施例提供了一種濕制程裝置,所述濕制程裝置包括腔室10、設于所述腔室的藥液槽20、至少一個第一導流板30和至少一個第二導流板40。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





