[發明專利]一種濕制程裝置在審
| 申請號: | 201710707081.2 | 申請日: | 2017-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN107275267A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 何敏博 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕制程 裝置 | ||
1.一種濕制程裝置,其特征在于,包括:
腔室及設于所述腔室的藥液槽,所述腔室包括兩個相對的側壁及連接兩個相對側壁的位于藥液槽上方的頂壁和位于藥液槽下方的底壁;
至少一個第一導流板和至少一個第二導流板,所述至少一個第一導流板一端與所述頂壁呈夾角固定將所述頂壁與所述藥流槽分隔,另一端于所述側壁之間形成有間隙;
所述至少一個第二導流板一端與所述側壁連接且與所述第一導流板平行相對,所述至少一個第二導流板位于所述頂壁與所述至少一個第一導流板之間且遮擋所述間隙;
所述至少一個第一導流板和至少一個第二導流板的外側面上均覆蓋有親溶劑涂層。
2.如權利要求1所述的濕制程裝置,其特征在于,所述第一導流板與所述第二導流板均由導熱性材料制成。
3.如權利要求1或2所述的濕制程裝置,其特征在于,所述第一導流板和第二導流板均為兩個,
所述兩個第一導流板均包括第一端和與第一端相對的第二端,所述兩個第一導流板的第一端均與所述頂壁呈夾角固定,且兩個第一導流板的第二端與所述兩個側壁之間具有間隙;
所述兩個第二導流板分別與所述兩個側壁固定并與所述間隙相對;且所述兩個第二導流板分別與所述兩個第一導流板平行相對。
4.如權利要求3所述的濕制程裝置,其特征在于,所述導流板的上表面均設置有冷凝水管路。
5.如權利要求3所述的濕制程裝置,其特征在于,所述夾角大于等于45度。
6.如權利要求3所述的濕制程裝置,其特征在于,所述間隙的寬度為1mm~5mm,且所述第二導流板與所述第一導流板之間的距離為2mm~5mm。
7.如權利要求2所述的濕制程裝置,其特征在于,所述親溶劑涂層為水性環氧樹脂體系涂層或有機硅烷系涂層。
8.如權利要求1所述的濕制程裝置,其特征在于,所述濕制程裝置包括:上噴淋管路、下噴淋管路及位于所述上噴淋管路和下噴淋管路之間的傳送部,上噴淋管路、下噴淋管路之間的傳送部位于所述第一導流板與所述藥液槽之間的位置。
9.如權利要求1所述的濕制程裝置,其特征在于,所述腔體的頂壁設有抽風口。
10.如權利要求1-6所述的濕制程裝置,其特征在于,所述第一導流板的長度與第二導流板的長度一致,且所述導流板的寬度大于所述第二導流板的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





