[發(fā)明專利]具有放大器-MOSFET的集成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710703215.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107769742B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: W·巴卡爾斯基;W·西姆比爾格;A·施特爾滕波爾;H·塔迪肯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/195
• 分類號(hào): H03F3/195;H03F1/26;H03F3/193
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種集成電路(200)，所述集成電路包括：

-襯底(106)，

-放大器-MOSFET(100)，以及

-偏壓端子(110)，設(shè)置用于產(chǎn)生所述襯底(106)相對(duì)于所述放大器-MOSFET(100)的至少一個(gè)負(fù)載端子(101，102)的電勢(shì)差，

其中，所述襯底(106)的電阻率不小于0.3kOhm cm，

其中，所述電勢(shì)差是-3V或者更負(fù)

還包括：

-至少一個(gè)輸入端子(221，222)，與所述放大器-MOSFET(100)的控制端子(103)連接并且設(shè)置用于接收至少一個(gè)輸入信號(hào)，以及

-輸出端子(231)，被布置在朝向所述放大器-MOSFET(100)的至少一個(gè)負(fù)載端子(101，102)的一側(cè)上并且設(shè)置用于將輸出信號(hào)輸出；

-至少一個(gè)共源-共柵放大器-MOSFET(213，213-1，213-2)，被布置在所述放大器-MOSFET(100)的至少一個(gè)負(fù)載端子(101，102)和所述輸出端子(231)之間，

其中，所述至少一個(gè)共源-共柵放大器-MOSFET(213，213-1，213-2)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的柵極長(zhǎng)度(103A)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路(200)，

其中，所述放大器-MOSFET(100)的柵極寬度大于100μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路(200)，

其中，所述電阻率和所述電勢(shì)差是襯底(106)在所述集成電路(200)的區(qū)域中的體特性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路(200)，還包括：

-電感(212)，被布置在朝向所述放大器-MOSFET(100)的至少一個(gè)負(fù)載端子(101，102)的一側(cè)上，

其中，所述放大器-MOSFET(100)和電感(212)被設(shè)置用于實(shí)現(xiàn)所述輸出信號(hào)相對(duì)于所述至少一個(gè)輸入信號(hào)的不小于10dB。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路(200)，還包括：

-至少一個(gè)開(kāi)關(guān)(302，303，401，402)，被布置為與所述至少一個(gè)輸入端子(221，222)相鄰，并且所述開(kāi)關(guān)具有從開(kāi)關(guān)-MOSFET(431)至地線(217)的串聯(lián)電路，

其中，所述開(kāi)關(guān)-MOSFET(431)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的柵極長(zhǎng)度(103A)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路(200)，

其中，所述至少一個(gè)開(kāi)關(guān)(302，303，401，402)被布置在一旁路支路(301)中，所述旁路支路在將所述放大器-MOSFET(100)旁路的情況下使所述至少一個(gè)輸入端子(221，222)與所述輸出端子(231)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路(200)，

其中，所述集成電路(200)包括多個(gè)開(kāi)關(guān)(302，303，401，402)和多個(gè)輸入端子(221，222)，

其中，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)(302，303，401，402)中的至少一些開(kāi)關(guān)分別與所述多個(gè)輸入端子(221，222)中的一個(gè)相應(yīng)的輸入端子相關(guān)聯(lián)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路(200)，還包括：

-至少一個(gè)過(guò)壓保護(hù)元件(601，602)，所述過(guò)壓保護(hù)元件具有至少一個(gè)ESD-MOSFET(611，831)，

其中，所述至少一個(gè)ESD-MOSFET(611，831)和所述放大器-MOSFET(100)具有相同的柵極長(zhǎng)度(103A)，

其中，所述至少一個(gè)過(guò)壓保護(hù)元件(601，602)被布置在所述至少一個(gè)輸入端子(221，222)和所述放大器-MOSFET(100)的控制端子(103)之間，和/或

其中，所述至少一個(gè)過(guò)壓保護(hù)元件(601，602)被布置在所述放大器-MOSFET(100)的至少一個(gè)負(fù)載端子(101，102)和所述輸出端子(231)之間。