[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710700622.9
• 申請(qǐng)日: 2017-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108630688B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加藤竜也;荒井史隆;酒池耕平;永嶋賢史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L29/423
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種可靠性高的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：半導(dǎo)體部件，沿著第1方向延伸；第1配線，沿著和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1電極，配置在所述半導(dǎo)體部件和所述第1配線之間。所述第1電極的和所述半導(dǎo)體部件相向的角部的曲率半徑，比所述第1電極的和所述第1配線相向的角部的曲率半徑大。

[相關(guān)申請(qǐng)]

本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2017-50087號(hào)(申請(qǐng)日：2017年3月15日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

在之前，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置已經(jīng)通過(guò)使電路微細(xì)化實(shí)現(xiàn)了大容量化。不過(guò)，微細(xì)化技術(shù)達(dá)到了極限，為了實(shí)現(xiàn)更大容量化，提出一種積層型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。積層型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，是在襯底上設(shè)置沿著水平方向延伸的多根配線、和沿著垂直方向延伸的多根半導(dǎo)體部件，并在配線和半導(dǎo)體部件之間設(shè)置電荷積聚部件。由此，在每個(gè)交叉部分形成存儲(chǔ)單元晶體管。這種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的課題是確保可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種可靠性高的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：半導(dǎo)體部件，沿著第1方向延伸；第1配線，沿著和所述第1方向交叉的第2方向延伸；及第1電極，配置在所述半導(dǎo)體部件和所述第1配線之間。所述第1電極的和所述半導(dǎo)體部件相向的角部的曲率半徑，比所述第1電極的和所述第1配線相向的角部的曲率半徑大。

附圖說(shuō)明

圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖視圖。

圖2是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖視圖。

圖3(a)及(b)是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖視圖。

圖4是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一個(gè)存儲(chǔ)單元的剖視圖。

圖5(a)、圖5(b)、圖6(a)、圖6(b)、圖7(a)、圖7(b)、圖8(a)、圖8(b)、圖9(a)、圖9(b)、圖10(a)、圖10(b)、圖11(a)、圖11(b)、圖12(a)、圖12(b)是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的剖視圖。

圖13是表示比較例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一個(gè)存儲(chǔ)單元的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。

圖1是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖視圖。

圖2是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖視圖，表示和圖1正交的截面。

圖3(a)及(b)是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的剖視圖，(a)是圖1的放大圖，(b)是圖2的放大圖。

圖4是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一個(gè)存儲(chǔ)單元的剖視圖，且是圖3(b)的放大圖。

另外，各圖為示意圖，描繪時(shí)適當(dāng)進(jìn)行了夸張和省略。例如，各構(gòu)成要素比實(shí)際數(shù)量少且放大描繪。此外，各圖之間構(gòu)成要素的尺寸比并不一定一致。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置為積層型的NAND閃速存儲(chǔ)器。

如圖1及圖2所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1(以下也僅稱為“裝置1”)中，設(shè)置著硅襯底10。硅襯底10例如由硅的單晶形成。另外，也可以用多晶硅膜來(lái)代替硅襯底10。

以下，在本說(shuō)明書中，為了便于說(shuō)明，采用XYZ正交座標(biāo)系。將和硅襯底10的上表面10a平行且相互正交的2方向設(shè)為“X方向”及“Y方向”，將和硅襯底10的上表面10a垂直的方向設(shè)為“Z方向”。此外，將Z方向的一個(gè)方向也稱為“上”，將其反方向也稱為“下”，這是為了方便說(shuō)明而表現(xiàn)的，和重力的方向并無(wú)關(guān)系。