[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710700622.9
• 申請日: 2017-08-16
• 公開（公告）號: CN108630688B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 加藤竜也;荒井史隆;酒池耕平;永嶋賢史
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L29/423
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：

襯底；

第1半導體部件，沿著和所述襯底的表面垂直的第1方向延伸；

第1配線，沿著和所述第1方向交叉的第2方向延伸，所述第2方向和所述襯底的所述表面平行；及

第1電極，配置在所述第1半導體部件和所述第1配線之間；且

所述第1電極的和所述第1半導體部件相向的角部的曲率半徑，比所述第1電極的和所述第1配線相向的角部的曲率半徑大；

所述半導體存儲裝置還具備：

第2配線，在所述第2方向上延伸；

第2電極，配置在所述第1半導體部件和所述第2配線之間，所述第2電極在和所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上與所述第1電極相鄰，所述第3方向和所述襯底的所述表面平行；

絕緣部件，設置在所述第1配線和所述第2配線之間，所述絕緣部件在所述第1方向上延伸；及

第1絕緣膜，設置在所述第1配線和所述第1電極之間及所述第1電極和所述絕緣部件之間；

所述第1半導體部件在所述第3方向上配置在所述第1電極和所述第2電極之間；

所述半導體存儲裝置還具備：

第2半導體部件，在所述第2方向上相鄰于所述第1半導體部件，且在所述第1方向上延伸；且

所述絕緣部件設置在所述第1半導體部件和所述第2半導體部件之間。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具備：第2絕緣膜，設置在所述第2配線和所述第2電極之間及所述第2電極和所述絕緣部件之間。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具備：第3絕緣膜，設置在所述第1半導體部件和所述第1電極之間。

4.一種半導體存儲裝置，其特征在于具備：

襯底；

第1半導體部件，沿著和所述襯底的表面垂直的第1方向延伸；

第1配線，沿著和所述第1方向交叉的第2方向延伸，所述第2方向和所述襯底的所述表面平行；及

第1電極，配置在所述第1半導體部件和所述第1配線之間，具有第1面和第2面，所述第1面和所述半導體部件相對，所述第2面和所述第1方向及所述第2方向交叉，且在從所述第1配線朝向所述第1半導體部件的第3方向延伸；且

所述第1面具有第1部，所述第2面具有第2部，隨著從所述第1部朝向所述第2部，逐漸遠離所述第1半導體部件地傾斜，

所述半導體存儲裝置還具備：

第2配線，在所述第2方向上延伸；

第2電極，配置在所述第1半導體部件和所述第2配線之間；

絕緣部件，設置在所述第1配線和所述第2配線之間，所述絕緣部件在所述第1方向上延伸；

第1絕緣膜，設置在所述第1配線和所述第1電極之間及所述第1電極和所述絕緣部件之間；

所述第1半導體部件在所述第3方向上設置在所述第1電極和所述第2電極之間，所述第3方向和所述襯底的所述表面平行，

所述半導體存儲裝置還具備：

第2半導體部件，在所述第2方向上相鄰于所述第1半導體部件，且在所述第1方向上延伸；且

所述絕緣部件設置在所述第1半導體部件和所述第2半導體部件之間。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具備：第4絕緣膜，設置在所述第1半導體部件和所述第1電極之間。