[發明專利]感測器封裝結構有效
| 申請號: | 201710700256.7 | 申請日: | 2017-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN109411486B | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 陳建儒;楊若薇;洪立群;杜修文;辛宗憲 | 申請(專利權)人: | 勝麗國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;王月春 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感測器 封裝 結構 | ||
本發明涉及一種感測器封裝結構,包括:基板、設置于基板的感測芯片、電連接基板與感測芯片的多條金屬線、面向感測芯片的透光層、設置于基板的環狀支撐體、以及設置于基板并包覆于支撐體外側緣與透光層外側緣的封膠體。每條金屬線的局部埋置于支撐體內,并且支撐體相較于基板的高度大于任一個金屬線相較于基板的高度。所述透光層的底面包含面向感測芯片的中心區及呈環狀且圍繞于中心區外側的支撐區。支撐體位于感測芯片的外側,并且支撐體頂抵于透光層的支撐區。借此,所述感測器封裝結構能用來進行較小尺寸感測芯片的封裝。
技術領域
本發明涉及一種封裝結構,尤其涉及一種感測器封裝結構。
背景技術
現有電子裝置內的電子構件需要朝向尺寸縮小的方向研發,以使電子裝置能夠在有限的空間內安裝更多的電子構件。然而,現有感測器封裝結構(例如:影像感測器封裝結構)的發展已面臨:現有感測器封裝結構并不適合用來進行較小尺寸感測芯片的封裝。
于是,本發明人認為上述缺陷可改善,乃特潛心研究并配合科學原理的運用,終于提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
發明內容
本發明實施例在于提供一種感測器封裝結構,其通過有別于以往的構造而能有效地改善現有感測器封裝結構所容易發生的問題。
本發明實施例公開一種感測器封裝結構,包括:一基板,所述基板包含位于相反兩側的一上表面與一下表面,并且所述基板在所述上表面形成有多個焊墊;一感測芯片,所述感測芯片包含有位于相反兩側的一頂面與一底面,所述感測芯片的所述底面設置于所述基板的所述上表面并位于多個所述焊墊的內側;多條金屬線,多條所述金屬線的一端分別連接于多個所述焊墊,并且多條所述金屬線的另一端分別連接于多個所述連接墊;一透光層,所述透光層具有位于相反兩側的一第一表面與一第二表面,所述第二表面包含有面向于所述感測芯片的一中心區及呈環狀且圍繞在所述中心區外側的一支撐區;一支撐體,所述支撐體呈環狀,所述支撐體設置于所述基板的所述上表面并且位于所述感測芯片的外側,所述支撐體的頂緣頂抵于所述透光層的所述支撐區;其中,每個所述金屬線的局部埋置于所述支撐體內,并且所述支撐體相較于所述基板的所述上表面的一高度大于任一個所述金屬線相較于所述基板的所述上表面的一高度;以及一封膠體,所述封膠體設置于所述基板的所述上表面并包覆于所述支撐體的外側緣及所述透光層的外側緣。
優選地,所述支撐體包含有:一支撐層;及一接合層,所述接合層呈環狀并設置于所述支撐層上,所述接合層的頂緣頂抵于所述透光層的所述支撐區。
優選地,所述支撐層相較于所述基板的所述上表面的一高度不大于所述感測芯片的所述頂面相較于所述基板的所述上表面的一高度,并且每個所述金屬線的局部埋置于所述接合層內,而所述支撐層未接觸任一個所述金屬線。
優選地,所述接合層位于所述支撐層與所述透光層的所述支撐區之間,并且所述接合層未接觸任一個所述焊墊。
優選地,所述接合層進一步設置于所述基板的所述上表面,并且多個所述焊墊埋置于所述接合層內。
優選地,所述接合層包含有:一第一層,所述第一層呈環狀并設置于所述支撐層及所述基板的所述上表面,并且多個所述焊墊埋置于所述第一層內;其中,所述第一層相較于所述基板的所述上表面的一高度大于所述感測芯片的所述頂面相較于所述基板的所述上表面的一高度;及一第二層,所述第二層呈環狀并設置于所述第一層上,并且所述第二層頂抵于所述透光層的所述支撐區。
優選地,所述封膠體包含有:一模制封膠體,所述模制封膠體設置于所述基板的所述上表面并包覆于所述第一層的外側緣;及一液態封膠體,所述液態封膠體設置于所述模制封膠體上并包覆于所述第二層的外側緣及所述透光層的所述外側緣。
優選地,所述支撐層相較于所述基板的所述上表面的一高度大于所述感測芯片的所述頂面相較于所述基板的所述上表面的一高度,并且每個所述金屬線的局部埋置于所述支撐層內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





