[發明專利]感測器封裝結構有效
| 申請號: | 201710700256.7 | 申請日: | 2017-08-16 |
| 公開(公告)號: | CN109411486B | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 陳建儒;楊若薇;洪立群;杜修文;辛宗憲 | 申請(專利權)人: | 勝麗國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;王月春 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感測器 封裝 結構 | ||
1.一種感測器封裝結構,其特征在于,所述感測器封裝結構包括:
一基板,所述基板包含位于相反兩側的一上表面與一下表面,并且所述基板在所述上表面形成有多個焊墊;
一感測芯片,所述感測芯片包含有位于相反兩側的一頂面與一底面,所述感測芯片的所述底面設置于所述基板的所述上表面并位于多個所述焊墊的內側,所述感測芯片在所述頂面設有多個連接墊;
多條金屬線,多條所述金屬線的一端分別連接于多個所述焊墊,并且多條所述金屬線的另一端分別連接于多個所述連接墊;
一透光層,所述透光層具有位于相反兩側的一第一表面與一第二表面,所述第二表面包含有面向于所述感測芯片的一中心區、呈環狀且圍繞在所述中心區外側的一支撐區、及呈環狀且圍繞在所述支撐區外側的一固定區;
一支撐體,所述支撐體呈環狀,所述支撐體設置于所述基板的所述上表面并且位于所述感測芯片的外側,所述支撐體的頂緣頂抵于所述透光層的所述支撐區,所述支撐體未接觸所述感測芯片的所述頂面;其中,每個所述金屬線的局部埋置于所述支撐體內,并且所述支撐體相較于所述基板的所述上表面的一高度大于任一個所述金屬線相較于所述基板的所述上表面的一高度;以及
一封膠體,所述封膠體設置于所述基板的所述上表面并包覆于所述支撐體的外側緣、所述透光層的外側緣、所述透光層的所述固定區、及每個所述金屬線的局部。
2.依據權利要求1所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述支撐體包含有:
一支撐層;及
一接合層,所述接合層呈環狀并設置于所述支撐層上,所述接合層的頂緣頂抵于所述透光層的所述支撐區。
3.依據權利要求2所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述支撐層相較于所述基板的所述上表面的一高度不大于所述感測芯片的所述頂面相較于所述基板的所述上表面的一高度,并且每個所述金屬線的所述局部埋置于所述接合層內,而所述支撐層未接觸任一個所述金屬線。
4.依據權利要求3所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述接合層位于所述支撐層與所述透光層的所述支撐區之間,并且所述接合層未接觸任一個所述焊墊。
5.依據權利要求3所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述接合層設置于所述基板的所述上表面,并且多個所述焊墊埋置于所述接合層內。
6.依據權利要求5所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述接合層包含有:
一第一層,所述第一層呈環狀并設置于所述支撐層及所述基板的所述上表面,并且多個所述焊墊埋置于所述第一層內;其中,所述第一層相較于所述基板的所述上表面的一高度大于所述感測芯片的所述頂面相較于所述基板的所述上表面的一高度;及
一第二層,所述第二層呈環狀并設置于所述第一層上,并且所述第二層頂抵于所述透光層的所述支撐區。
7.依據權利要求6所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述封膠體包含有:
一模制封膠體,所述模制封膠體設置于所述基板的所述上表面并包覆于所述第一層的外側緣;及
一液態封膠體,所述液態封膠體設置于所述模制封膠體上并包覆于所述第二層的外側緣及所述透光層的所述外側緣。
8.依據權利要求2所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述支撐層相較于所述基板的所述上表面的一高度大于所述感測芯片的所述頂面相較于所述基板的所述上表面的一高度,并且每個所述金屬線的所述局部埋置于所述支撐層內。
9.依據權利要求8所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述封膠體包含有:
一模制封膠體,所述模制封膠體設置于所述基板的所述上表面并包覆于所述支撐層的一外側緣;及
一液態封膠體,所述液態封膠體設置于所述模制封膠體上并包覆于所述接合層的外側緣及所述透光層的所述外側緣。
10.依據權利要求2至9中任一項所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述支撐層設置于所述基板的所述上表面并且位于所述感測芯片與多個所述焊墊之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





