[發(fā)明專利]集成電路芯片載板的測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710698230.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107621602B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚欣達(dá);高云峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司;深圳麥遜電子有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種集成電路芯片載板的測(cè)試方法，用于對(duì)設(shè)于印刷電路板上的多個(gè)呈陣列排布的載板進(jìn)行測(cè)試，包括：

獲取載板陣列中的最大重復(fù)區(qū)域；

獲取形成所述載板陣列的設(shè)備的固有誤差參數(shù)；

根據(jù)所述固有誤差參數(shù)得到用于測(cè)試的重復(fù)單元；所述重復(fù)單元包括最少一行兩列的兩個(gè)載板；

根據(jù)所述重復(fù)單元對(duì)所述載板中的最大重復(fù)區(qū)域進(jìn)行劃分，得到多個(gè)與所述重復(fù)單元相同大小的第一測(cè)試區(qū)域、或還得到剩余區(qū)域；

只得到所述第一測(cè)試區(qū)域時(shí)，采用適用于所述第一測(cè)試區(qū)域的測(cè)試治具進(jìn)行測(cè)試；得到所述第一測(cè)試區(qū)域和剩余區(qū)域時(shí)，采用適用于所述第一測(cè)試區(qū)域和剩余區(qū)域的測(cè)試治具進(jìn)行測(cè)試。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，所述固有誤差參數(shù)為固有的漲縮參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，當(dāng)所述最大重復(fù)區(qū)域?yàn)橐?guī)則陣列時(shí)，所述重復(fù)單元為一行兩列載板的倍數(shù)；其中所述規(guī)則陣列包括偶數(shù)列載板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，所述最大重復(fù)區(qū)域中包含的載板數(shù)量為所述重復(fù)單元的整數(shù)倍；所述采用適用于所述第一測(cè)試區(qū)域的測(cè)試治具進(jìn)行測(cè)試的步驟包括：

采用對(duì)應(yīng)于所述重復(fù)單元的測(cè)試治具依次對(duì)所述第一測(cè)試區(qū)域進(jìn)行測(cè)試。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，當(dāng)所述最大重復(fù)區(qū)域?yàn)椴灰?guī)則陣列時(shí)，所述重復(fù)單元包括最少兩列載板；其中所述不規(guī)則陣列包括奇數(shù)列載板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，當(dāng)所述最大重復(fù)區(qū)域?yàn)椴灰?guī)則陣列時(shí)，所述采用適用于所述第一測(cè)試區(qū)域和剩余區(qū)域的測(cè)試治具進(jìn)行測(cè)試的步驟包括：

采用對(duì)應(yīng)于所述重復(fù)單元的測(cè)試治具依次對(duì)所述第一測(cè)試區(qū)域進(jìn)行測(cè)試；

對(duì)于位于與重復(fù)單元同行的第一剩余區(qū)域，采用對(duì)應(yīng)于所述重復(fù)單元的測(cè)試治具進(jìn)行測(cè)試；

對(duì)于除第一剩余區(qū)域以外的第二剩余區(qū)域，采用對(duì)應(yīng)于第二剩余區(qū)域的測(cè)試治具進(jìn)行測(cè)試。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，所述采用對(duì)應(yīng)于第二剩余區(qū)域的測(cè)試治具進(jìn)行測(cè)試的步驟包括：

獲取所述第二剩余區(qū)域中與所述重復(fù)單元列數(shù)相同的多個(gè)第二測(cè)試區(qū)域以及第三剩余區(qū)域；

采用對(duì)應(yīng)于所述第二測(cè)試區(qū)域的測(cè)試治具對(duì)所述多個(gè)第二測(cè)試區(qū)域以及第三剩余區(qū)域進(jìn)行測(cè)試。

8.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，所述采用對(duì)應(yīng)于所述重復(fù)單元的測(cè)試治具依次對(duì)所述第一測(cè)試區(qū)域進(jìn)行測(cè)試的步驟包括：

獲取首個(gè)所述第一測(cè)試區(qū)域中的定標(biāo)位置；

根據(jù)所述定標(biāo)位置控制測(cè)試治具移動(dòng)到首個(gè)所述第一測(cè)試區(qū)域的位置對(duì)準(zhǔn)、并控制測(cè)試治具與首個(gè)所述第一測(cè)試區(qū)域中的載板連接；

對(duì)首個(gè)所述第一測(cè)試區(qū)域中的載板進(jìn)行測(cè)試；

根據(jù)坐標(biāo)偏移量，獲取其他第一測(cè)試區(qū)域的定標(biāo)位置；

控制測(cè)試治具移動(dòng)到其他第一測(cè)試區(qū)域的位置對(duì)準(zhǔn)、并控制測(cè)試治具與其他第一測(cè)試區(qū)域中的載板連接；

對(duì)其他第一測(cè)試區(qū)域中的載板進(jìn)行測(cè)試。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，所述坐標(biāo)偏移量均為相對(duì)于首個(gè)所述第一測(cè)試區(qū)域的坐標(biāo)偏移量。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路芯片載板的測(cè)試方法，其特征在于，所述重復(fù)單元為根據(jù)所述固有誤差參數(shù)得到的最大重復(fù)單元。