[發明專利]一種無引線殘留的金手指制作方法在審
| 申請號: | 201710696712.5 | 申請日: | 2017-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN107484354A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 李雄杰;李波;張志洲;夏國偉 | 申請(專利權)人: | 勝宏科技(惠州)股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/40 | 分類號: | H05K3/40;H05K3/24 |
| 代理公司: | 惠州創聯專利代理事務所(普通合伙)44382 | 代理人: | 韓淑英 |
| 地址: | 516200 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 引線 殘留 手指 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及線路板制作領域,尤其涉及一種無引線殘留的金手指制作方法。
背景技術
隨著PCB生產技術的不斷進步,對于PCB的要求也越來越嚴格,對于高端連接器板,生產難度越來越大,除去疊構和線路生產難度,連接器手指部位的鍍金引線殘留問題,受到客戶的重視,為滿足客戶要求,現比較常見的方式是內拉引線鍍金后蝕刻和前端外拉引線鍍金后蝕刻,由于金手指引線通常較細,寬度與金手指寬度相比較小,因此通常通過蝕刻方法將金手指引線去除。
內拉引線流程:開料(裁板、基板烘烤)→內層(內層圖形、內層蝕刻)→內層AOI→壓合→機械鉆孔→板電→外層(一)→圖電(一)(圖形鍍銅、圖形鍍錫、外層蝕刻、阻抗半測)→外層AOI(一)→防焊(一)(印選化油)→鍍金→內層(二)去選化油→外層(二)(蝕刻引線干膜)→圖電(二)(堿性蝕刻)→外層(三)(去膜)→外層AOI(二)(AOI)→防焊→文字(文字印刷、阻抗成測)→成型(需斜邊)→測試→FQC→OSP→包裝。
前端引線流程:開料(裁板、基板烘烤)→內層(一)(內層圖形、內層蝕刻)→內層AOI→壓合→機械鉆孔→板電→外層(一)→圖電(一)(圖形鍍銅、圖形鍍錫、外層蝕刻、阻抗半測)→外層AOI(一)→防焊(一)(印選化油)→鍍金(貼藍膠、金手指開窗、鍍金、撕藍膠)→內層(二)(去選化油)→防焊(二)→文字(文字印刷、阻抗成測)→外層(二)(蝕刻引線干膜)→圖電(二)(堿性蝕刻引線)→外層(三)(去膜)→成型(需斜邊)→測試→FQC→OSP→包裝。
顯而易見的,兩種制作方案的生產流程長,制作工藝的質量管控難度隨之增大,品質隱患多,且在制作過程中多次使用藥水、油墨、干膜等,容易對板面造成污染,可能影響產品質量。
發明內容
針對上述問題,本發明提供一種無引線殘留的金手指制作方法,包括:對線路板進行圖電工序時,蝕刻外層線路,并形成金手指引線,金手指引線的寬度和金手指的寬度一致;
圖電工序完成后,依次進行防焊、文字;接著直接進行金手指鍍金;
進行金手指鍍金后,對線路板進行成型加工,采用斜邊方式去除金手指引線。
優選的,進行圖電工序時,在蝕刻外層線路之前進行圖形鍍銅、圖形鍍錫,蝕刻外層線路之后進行阻抗半測。
優選的,還包括外層AOI;圖電工序完成后,進行外層AOI,再依次進行防焊、文字。
優選的,采用斜邊方式去除金手指引線時,采用內斜機直接用機械方式對金手指引線斜邊。
本發明在金手指引線的制作時,使金手指引線的寬度和金手指寬度一致,由于金手指引線寬度變大,從而可以采用機械斜邊的方法直接去除金手指引線,而不采用蝕刻方式,這樣就減少了大量工序及藥水、油墨、干膜等的使用,縮短了制作流程,便于各制作工序的加工質量管控,降低品質隱患,且藥水、油墨、干膜的使用減少可以有效的降低線路板板面受污染的機率,提高線路板產品的品質。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明進一步說明。
具體實施時,按線路板制作的一般工序進行開料(裁板、基板烘烤)→內層(內層圖形、內層蝕刻)→內層AOI→壓合→機械鉆孔→板電→外層,然后對線路板進行圖電工序,包括圖形鍍銅、圖形鍍錫、蝕刻外層線路、阻抗半測,并在蝕刻外層線路時形成金手指引線,金手指引線的寬度和金手指的寬度一致;圖電工序完成后,進行外層AOI,即對線路板的外層加工質量進行自動光學檢測,再依次進行防焊、文字處理,文字處理包括文字印刷、阻抗成測;接著直接進行金手指鍍金;
進行金手指鍍金后,對線路板進行成型加工,在成型加工時采用斜邊方式去除金手指引線,具體可采用內斜機采用機械方式按線路板產品要求確定的深度進行斜邊。
本發明在制作形成金手指引線時,將其寬度設計為與金手指一致,使金手指引線具有較寬的寬度,從而可以采用機械斜邊方式去除,相比現有技術采用的蝕刻方式,采用更少的工序即可達到與現有技術同樣的技術效果。
以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明,不能認定本發明的具體實施只局限于這些說明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應當視為屬于本發明的保護范圍。
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