[發明專利]陣列基板及其制作方法、提高膜層間的粘附性的方法

在審

• 申請號: 201710695063.7
• 申請日: 2017-08-15
• 公開（公告）號: CN107591359A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 高冬子
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

技術領域

本發明屬于薄膜制作技術領域，具體地講，涉及一種陣列基板及其制作方法、提高膜層間的粘附性的方法。

背景技術

目前液晶面板中陣列基板的制作可以采用4Mask工藝，在制作有源層和源漏極時，是先形成柵極絕緣層、半導體材料層和源漏極金屬層，而后通過一次Mask工藝同時形成有源層和源漏極。

但是在半導體材料層和源漏極金屬層的制作過程中，由于半導體材料層與源漏極金屬層的黏附性欠佳，所以會造成源漏極金屬層的剝落，從而造成斷線問題，進而影響陣列基板的良率。

發明內容

為了解決上述現有技術存在的問題，本發明的目的在于提供一種能夠提高半導體材料層與源漏極金屬層的黏附性的陣列基板及其制作方法、提高膜層間的粘附性的方法。

根據本發明的一方面，提供了一種陣列基板的制作方法，其包括步驟：提供一基板：在所述基板上形成柵極；在所述基板和所述柵極上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成半導體材料層；對所述半導體材料層的表面進行粗糙化處理；在所述半導體材料層上形成源漏極金屬層；對所述源漏極金屬層和所述半導體材料層進行曝光、顯影以及刻蝕處理，以在所述柵極絕緣層上形成有源層且在所述有源層上形成彼此間隔的源極和漏極；在所述有源層、所述柵極絕緣層、所述源極和所述漏極上形成鈍化層；在所述鈍化層中形成暴露所述漏極的過孔；在所述鈍化層上形成通過所述過孔與所述漏極接觸的像素電極。

進一步地，所述“對所述半導體材料層的表面進行粗糙化處理”的方法包括：利用含有氫氟酸的刻蝕液對所述半導體材料層的表面進行粗糙化處理。

進一步地，所述半導體材料層由非晶硅制成。

進一步地，所述“在所述基板上形成柵極”的方法包括：在所述基板上形成柵極金屬層；對所述柵極金屬層進行曝光、顯影及刻蝕處理，以形成所述柵極。

進一步地，所述“在所述鈍化層中形成暴露所述漏極的過孔”的方法包括：對所述鈍化層進行曝光、顯影及刻蝕處理，以形成所述過孔。

進一步地，所述“在所述鈍化層上形成通過所述過孔與所述漏極接觸的像素電極”的方法包括：在所述鈍化層上形成像素電極膜層；對所述像素電極膜層進行行曝光、顯影及刻蝕處理，以形成所述像素電極。

根據本發明的另一方面，還提供了一種由上述的陣列基板的制作方法制作的陣列基板。

根據本發明的又一方面，又提供了一種提高膜層間的粘附性的方法，其包括：提供一基板；在所述基板上制作形成半導體膜；對所述半導體膜的表面進行粗糙化處理；在粗糙化處理的所述半導體膜的表面上形成金屬膜。

進一步地，所述“對所述半導體膜的表面進行粗糙化處理”的方法包括：利用含有氫氟酸的刻蝕液對所述半導體膜的表面進行粗糙化處理。

進一步地，所述半導體膜由非晶硅制成。

本發明的有益效果：本發明通過對有源層的表面進行粗造化處理，可以提高源極、漏極與有源層的黏附力，從而不會出現斷線現象，進而提高陣列基板的良率。

附圖說明

通過結合附圖進行的以下描述，本發明的實施例的上述和其它方面、特點和優點將變得更加清楚，附圖中：

圖1是根據本發明的實施例的提高膜層間的粘附性的方法的制程圖；

圖2是根據本發明的實施例的陣列基板的制作方法的制程圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來詳細描述本發明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發明，并且本發明不應該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發明的原理及其實際應用，從而使本領域的其他技術人員能夠理解本發明的各種實施例和適合于特定預期應用的各種修改。

在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區域的厚度。相同的標號在整個說明書和附圖中表示相同的元器件。

圖1是根據本發明的實施例的提高膜層間的粘附性的方法的制程圖。

根據本發明的實施例的提高膜層間的粘附性的方法包括：

步驟一：參照圖1中的(a)圖，提供一基板110。在本實施例中，該基板110可例如是玻璃基板，但本發明并不限制于此。

步驟二：參照圖1中的(b)圖，在基板110上制作形成半導體膜120。進一步地，半導體膜120可由非晶硅(α-Si)制成，但本發明并不限制于此。

步驟三：參照圖1中的(c)圖，對半導體膜120的表面進行粗糙化處理。

具體地，可以利用含有氫氟酸的刻蝕液對半導體膜120的表面進行粗糙化處理，但本發明并不限制于此。