[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、提高膜層間的粘附性的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710695063.7
• 申請日: 2017-08-15
• 公開（公告）號: CN107591359A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高冬子
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,武岑飛

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基板：

在所述基板上形成柵極；

在所述基板和所述柵極上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體材料層；

對所述半導(dǎo)體材料層的表面進(jìn)行粗糙化處理；

在所述半導(dǎo)體材料層上形成源漏極金屬層；

對所述源漏極金屬層和所述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行曝光、顯影以及刻蝕處理，以在所述柵極絕緣層上形成有源層且在所述有源層上形成彼此間隔的源極和漏極；

在所述有源層、所述柵極絕緣層、所述源極和所述漏極上形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成暴露所述漏極的過孔；

在所述鈍化層上形成通過所述過孔與所述漏極接觸的像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述“對所述半導(dǎo)體材料層的表面進(jìn)行粗糙化處理”的方法包括：利用含有氫氟酸的刻蝕液對所述半導(dǎo)體材料層的表面進(jìn)行粗糙化處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料層由非晶硅制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上形成柵極”的方法包括：

在所述基板上形成柵極金屬層；

對所述柵極金屬層進(jìn)行曝光、顯影及刻蝕處理，以形成所述柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述鈍化層中形成暴露所述漏極的過孔”的方法包括：對所述鈍化層進(jìn)行曝光、顯影及刻蝕處理，以形成所述過孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述鈍化層上形成通過所述過孔與所述漏極接觸的像素電極”的方法包括：

在所述鈍化層上形成像素電極膜層；

對所述像素電極膜層進(jìn)行行曝光、顯影及刻蝕處理，以形成所述像素電極。

7.一種由權(quán)利要求1至6任一項所述的陣列基板的制作方法制作的陣列基板。

8.一種提高膜層間的粘附性的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制作形成半導(dǎo)體膜；

對所述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行粗糙化處理；

在粗糙化處理的所述半導(dǎo)體膜的表面上形成金屬膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高膜層間的粘附性的方法，其特征在于，所述“對所述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行粗糙化處理”的方法包括：利用含有氫氟酸的刻蝕液對所述半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行粗糙化處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的提高膜層間的粘附性的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體膜由非晶硅制成。