[發明專利]半導體封裝

有效

• 申請號: 201710692396.4
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN108417541B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 胡逸群;何佳容;楊金鳳;洪志斌;楊秉豐
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種半導體封裝，其包括：

襯底；

半導體芯片，其包含第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、安置于所述第一表面的至少一個芯片墊、在所述第一表面與所述第二表面之間延伸的側表面，以及電連接到所述芯片墊的至少一個傳導元件，其中所述芯片墊通過所述傳導元件電連接到所述襯底；

第一散熱結構，位于所述半導體芯片的所述第一表面的與襯底之間，其中所述第一散熱結構界定至少一個開口，所述開口在所述半導體芯片下方，所述開口的大小小于所述半導體芯片的大小，且所述傳導元件安置在所述開口中；以及

第二散熱結構，其安置于所述半導體芯片的所述第二表面以及所述第一散熱結構上，其中所述第二散熱結構接觸所述半導體芯片的所述第二表面及所述側表面，以及接觸所述第一散熱結構，所述第二散熱結構具有第一面積，所述半導體芯片具有第二面積，且所述第一面積與所述第二面積的比率大于1.17。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二散熱結構包含石墨層。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一面積與所述第二面積的所述比率在1.17到7的范圍內。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述第一面積與所述第二面積的所述比率在1.4到6的范圍內。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述第一面積與所述第二面積的所述比率在2到5的范圍內。

6.根據權利要求2所述的半導體封裝，其中所述石墨層具有在水平方向上在1400瓦每米開爾文(W/mK)到2000W/mK的范圍內的導熱性，且在垂直方向上在5W/mK到20W/mK的范圍內的導熱性。

7.根據權利要求2所述的半導體封裝，其中所述第二散熱結構進一步包含保護層，所述保護層安置于所述石墨層上。