[發(fā)明專利]蒸鍍坩堝及蒸鍍系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710692335.8 | 申請日: | 2017-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN107686968A | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐超 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/12 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 坩堝 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種蒸鍍坩堝以及一種包括所述蒸鍍坩堝的蒸鍍系統(tǒng)。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器具有亮度高、響應(yīng)快、能耗低、可彎曲等一系列的優(yōu)點,在當(dāng)今的平板顯示器市場中占據(jù)了越來越重要的地位,代表了下一代顯示器的發(fā)展趨勢;而有機發(fā)光二極管與液晶顯示(Liquid Crystal Display,LCD)相比,最大的優(yōu)勢就是可制備大尺寸、超薄、柔性、透明。
目前OLED比較成熟的工藝是使用小分子蒸鍍方式,但是在目前的蒸鍍制程中,點源通常是采用圓柱形坩堝且加熱絲為一體式加熱,坩堝內(nèi)的溫差是固定的,坩堝縱向長度越長,溫差越難控制,所以一段式加熱會造成坩堝上端和下端溫差較大的問題,從而使得材料的有效使用率在10%~80%之間,量產(chǎn)中會造成大量的材料浪費。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種蒸鍍坩堝以及一種包括所述蒸鍍坩堝的蒸鍍系統(tǒng),不僅可以有效改善目前蒸鍍系統(tǒng)中蒸鍍坩堝橫向和縱向溫差過大的問題,而且可以減少蒸鍍材料的浪費,提高材料的利用率,降低生產(chǎn)成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供一種蒸鍍坩堝,包括:坩堝本體和纏繞在所述坩堝本體四周的至少兩個加熱裝置;
所述坩堝本體包括至少兩個筒狀結(jié)構(gòu),每個所述筒狀結(jié)構(gòu)具有不同的直徑,所述坩堝本體用于盛放蒸鍍材料;
每個所述筒狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置一個所述加熱裝置,所述加熱裝置對所述對應(yīng)筒狀結(jié)構(gòu)中的蒸鍍材料進行加熱。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述蒸鍍坩堝還包括至少兩個蒸鍍篩片,每一個所述蒸鍍篩片與一個所述筒狀結(jié)構(gòu)相對應(yīng),所述蒸鍍篩片設(shè)置于其對應(yīng)筒狀結(jié)構(gòu)的頂端,用于將所述坩堝本體內(nèi)蒸鍍材料的氣流變的更加均勻。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述蒸鍍篩片與所述坩堝本體均采用鈦制備。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,每一個所述筒狀結(jié)構(gòu)為一個加熱區(qū)域,所述坩堝本體包括三個加熱區(qū)域:第一加熱區(qū)域、第二加熱區(qū)域、第三加熱區(qū)域,所述第一加熱區(qū)域為所述坩堝本體底部區(qū)域,所述第二加熱區(qū)域為所述坩堝本體中部區(qū)域,所述第三加熱區(qū)域為所述坩堝本體上部區(qū)域,所述第一加熱區(qū)域的直徑<第二加熱區(qū)域的直徑<第三加熱區(qū)域的直徑。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述第一加熱區(qū)域的高度占所述坩堝本體高度的10%,所述第三加熱區(qū)域的高度占所述坩堝本體高度的15%。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述蒸鍍篩片包括第一蒸鍍篩片、第二蒸鍍篩片和第三蒸鍍篩片,所述第一蒸鍍篩片與所述第一加熱區(qū)域相對應(yīng),第二蒸鍍篩片與所述第二加熱區(qū)域相對應(yīng),所述第三蒸鍍篩片與所述第三加熱區(qū)域相對應(yīng),所述第一蒸鍍篩片的面積<所述第二蒸鍍篩片的面積<所述第三蒸鍍篩片的面積。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述第一蒸鍍篩片的圓孔直徑>所述第二蒸鍍篩片的圓孔直徑>所述第三蒸鍍篩片的圓孔直徑。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述加熱裝置包括延縱向方向設(shè)置的第一加熱裝置、第二加熱裝置和第三加熱裝置,每個所述加熱裝置設(shè)置在其對應(yīng)加熱區(qū)域的四周,能夠?qū)崿F(xiàn)所述第一加熱區(qū)域、第二加熱區(qū)域、第三加熱區(qū)域的分開均勻加熱。
根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述加熱裝置還包括溫度測控部分,用以分別測控所述至少兩個加熱區(qū)域的加熱溫度。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,提供一種蒸鍍系統(tǒng),所述蒸鍍系統(tǒng)包括蒸鍍坩堝,所述蒸鍍坩堝為任一項上述的蒸鍍坩堝。
本發(fā)明提供一種蒸鍍坩堝以及一種包括所述蒸鍍坩堝的蒸鍍系統(tǒng),不僅可以有效改善目前蒸鍍系統(tǒng)中蒸鍍坩堝橫向和縱向溫差過大的問題,而且可以減少蒸鍍材料的浪費,提高材料的利用率,降低生產(chǎn)成本。
附圖說明
為了更清楚地說明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的蒸鍍坩堝結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實施例的蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例的蒸鍍坩堝的又一結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明實施例的蒸鍍篩片的結(jié)構(gòu)示意圖;
具體實施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司,未經(jīng)武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710692335.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





