[發(fā)明專利]碳酸氫氣水及其在基板表面的應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710692205.4 | 申請日: | 2017-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN107619098A | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李在龍 | 申請(專利權(quán))人: | MAG技術(shù)株式會社;天津高登泰克電子有限公司;李茂根 |
| 主分類號: | C02F1/70 | 分類號: | C02F1/70;H01L21/02 |
| 代理公司: | 天津盛理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司12209 | 代理人: | 高璇 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碳酸 氫氣 及其 表面 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于富氫水領(lǐng)域,涉及電路板的清洗技術(shù),尤其是一種碳酸氫氣水及其在基板表面的應(yīng)用。
背景技術(shù)
一般情況下用于制作半導(dǎo)體晶片,有機EL(OLED),光掩模,LCD,硬盤等的基板要求更加高容量化和高密度化,為防止微小模塊等長期接觸,連同微塵都需要清理。此類基板清洗方法很多,大體分為水洗,機械清洗,干洗。
水洗方法將基板等浸泡于藥液中,通過化學(xué)溶解法去除污染。機械清洗是用冰塊,干冰或煙霧器等噴灑基板表面來除去粒子。干洗是通過酸性氣體空間中離子體放電或紫外線照射等來去除污染。下列文本1~3中記載了對此類基板清洗說明。
專利文獻1,申請?zhí)枮?0-2015-0122061的韓國專利提供了一種鋁,焊接等新興焊接時同樣可以提供高品質(zhì)的清洗液,清洗設(shè)備及實裝基板的清洗方法。利用清洗液清洗基板。清洗液中含有酮或芳香族類中含有的碳化氫溶劑中富含有機胺,并在此溶劑中添加無數(shù)不飽和羧酶酸化合物或無數(shù)羧酶酸的藥液。有機胺類2級或3級胺磷d中含有thanolamine或trimethylamine至少一種。也就是洗凈液中至少含有1種以上脫水的不飽和羧酶酸(甲酸,無數(shù)醋酸,無數(shù)戊酸等)。胺成分羧酸當(dāng)量以下。
專利文獻2,申請?zhí)枮?0-2016-0049167的韓國專利提供了一種在罩子內(nèi)部的支撐基板及旋轉(zhuǎn)磁頭,在此磁頭上放置基板用來噴射第一處理液,第一噴射輔材構(gòu)件的噴射單元,還包含控制以上噴射單元的控制器,但以上第一噴射構(gòu)件與此內(nèi)部第一處理液流向的噴射路線連通,用以上基板安裝噴射第一處理液包括第一排出口在內(nèi)的機身及包括流向噴射路線的提供給第一處理液震動的震動子但要讓以上控制器控制上述第一噴射補助構(gòu)件安裝在此基板的第一設(shè)定位置在第一時間將上述第一噴嘴輔材構(gòu)件在此基板上以垂直方向移動至第一設(shè)定位置,噴射上述第一處理液后,在第二時間將上述第一噴嘴輔材構(gòu)件在此基板上再以水平方向移動并噴射上述第一處理液。
專利文獻3,韓國專利許(證書號為第1647586號)提供了一種關(guān)于在弱酸水溶液下,利用氣體-液體混合常壓等離子清洗半導(dǎo)體基板,可替代以往清洗工程中使用的強酸或強堿,不僅可以降低成本,還可以避免強酸或強堿清洗帶來的廢水問題,有助于環(huán)保。
另外,根據(jù)此類基板的種類與制作方法以及使用材質(zhì)等,基板表面殘留的污染粒子會不同,且與金屬粒子難以一并清洗的污染時,會采用硫酸銨或硫酸等化學(xué)藥品,但,此類化學(xué)藥品伴隨以下問題:
(1)化學(xué)藥品有去除污染物的效果,但,此類化學(xué)藥品有可能一瓶去除基板形成的模塊或毀損,因此,在使用化學(xué)藥品后,利用水清洗干凈基板上的化學(xué)藥品;
(2)另外去除化學(xué)藥品時利用的廢水含有毒素,不僅對人體有害,還要格外注意廢水處理問題;
(3)還有,使用化學(xué)用品使用后,為去除殘留在基板上的化學(xué)藥品,需要大量的水。
為了解決以上的問題,需要不使用化學(xué)物品的情況下能夠去除不純物的技術(shù)。
本發(fā)明考慮到以上幾點,在氫氣水中溶解二氧化碳,制成即有酸性又有氧化還原力,又能提高導(dǎo)電率的碳酸氫氣水,利用于基板清洗,即使碳酸氫氣水接觸到基板,通過高的還原力抑制基板上形成的氧化膜,提高清洗效果的同時,因不使用化學(xué)藥品,免去使用化學(xué)物品后的護理工程,即安全又能減少清洗程序的利用碳酸氫氣水清洗基板表面為其目的所在。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足,提供一種碳酸氫氣水及其在基板表面的應(yīng)用。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種碳酸氫氣水,其特征在于:通過氫氣水中溶解二氧化碳而成,制備后的碳酸氫氣水pH值為4.0~6.8,氧化還原電位為-50mv~-650mv,導(dǎo)電率為0.072uS/cm~80uS/cm。
而且,所述氫氣水是采用純水制得,制備后的氫氣水的pH值為5.5~6.8,氧化還原電位為-200mV~650mV,氫氣溶解濃度為0.1ppm~2.0ppm。
而且,所述純水是溶解純水或超純水或電解純水或超純水,純水的溶解導(dǎo)電率為50uS/㎝。
本發(fā)明還提供了一種上述碳酸氫氣水的基板表面的應(yīng)用,通過碳酸氫氣水對基板表面進行清洗,其清洗步驟是:
⑴將基板按照規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度進行旋轉(zhuǎn)清洗,此時,基板的轉(zhuǎn)速為80~300rpm;
⑵利用噴嘴將碳酸氫氣水噴灑在旋轉(zhuǎn)的基板表面,向碳酸氫氣水種添加1~3兆赫茲的超聲波,碳酸氫氣水的噴灑持續(xù)5~10分鐘。
而且,步驟(2)中,利用高頻震動器對所述基板進行振動。
本發(fā)明優(yōu)點和積極效果為:
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