[發(fā)明專利]一種噴涂式刻蝕槽用限噴裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710690130.6 | 申請日: | 2017-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN107393849B | 公開(公告)日: | 2023-07-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林寶劍;唐亮;程寅亮;關振華;馮正勝 | 申請(專利權(quán))人: | 通威太陽能(安徽)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 昆明合眾智信知識產(chǎn)權(quán)事務所 53113 | 代理人: | 張璽 |
| 地址: | 230088 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 噴涂 刻蝕 槽用限噴 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種噴涂式刻蝕槽用限噴裝置,包括限噴箱、以及依次固定于限噴箱內(nèi)腔中的導液管、限流塊和分流箱;所述限流塊開設有插槽,所述插槽中活動插設有擋板,所述擋板固定連接有電動推桿;所述分流箱側(cè)壁對應導液孔處開設有分流孔,所述分流箱的內(nèi)腔底壁固定有分流板,所述分流箱底壁與限噴箱底壁貫通開設有泄流孔,且所述泄流孔設置于分流板和分流孔之間,所述分流箱遠離分流孔一側(cè)側(cè)壁與限噴箱側(cè)壁貫通開設有噴液孔。本發(fā)明通過限流塊內(nèi)擋板的作用,當處于噴涂兩片硅片的中間空隙時間時,使刻蝕液從泄流孔流出,阻止了刻蝕液飛濺到硅片擴散面情況的發(fā)生,大大提高硅片刻蝕質(zhì)量,減小經(jīng)濟損失。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及硅片刻蝕技術(shù)領域,具體為一種噴涂式刻蝕槽用限噴裝置。
背景技術(shù)
太陽能電池片的制造過程需要經(jīng)過很多個步驟,其中對硅片的刻蝕工藝也是必不可少的一部分,硅片在刻蝕過程中,需要使用刻蝕液對硅片除了擴散面以外的所有面進行刻蝕,目前常用的刻蝕槽機器均采用粘液滾輪,來對硅片進行刻蝕,通過粘液滾輪將刻蝕液粘在滾輪上,然后滾輪將刻蝕液傳遞到硅片背面完成刻蝕,對于硅片的側(cè)壁采用噴嘴噴涂刻蝕液進行刻蝕,從而可以很好的將除了擴散面以外的四個側(cè)壁面均刻蝕到,大大提高了硅片刻蝕質(zhì)量。
但是對于采用噴嘴對硅片側(cè)壁進行刻蝕的方法,存在以下較為明顯的缺陷:因為硅片在刻蝕槽內(nèi)的滾輪上進行傳送運動,每兩塊硅片間均設置有間隔,所以當噴嘴向上一塊硅片的側(cè)壁進行噴涂刻蝕后,在噴涂到下一塊硅片前,此段中間空隙的時間,噴嘴噴出的刻蝕液會直接噴涂到刻蝕槽液面上,對液面造成沖擊,從而導致液面刻蝕液飛濺,也就會導致刻蝕液濺起,落到硅片的擴散面上造成刻蝕,進而生產(chǎn)出大量劣質(zhì)硅片,嚴重影響硅片刻蝕質(zhì)量,造成巨大經(jīng)濟損失。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種噴涂式刻蝕槽用限噴裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種噴涂式刻蝕槽用限噴裝置,包括限噴箱、以及依次固定于限噴箱內(nèi)腔中的導液管、限流塊和分流箱;
所述限噴箱側(cè)壁對應導液管處開設有進液孔,所述限流塊開設有插槽,所述插槽內(nèi)側(cè)壁對應導液管對稱開設有導液孔,所述插槽中活動插設有擋板,所述擋板固定連接有電動推桿;
所述分流箱側(cè)壁對應導液孔處開設有分流孔,所述分流箱的內(nèi)腔底壁固定有分流板,所述分流箱底壁與限噴箱底壁貫通開設有泄流孔,且所述泄流孔設置于分流板和分流孔之間;
所述分流箱遠離分流孔一側(cè)側(cè)壁與限噴箱側(cè)壁貫通開設有噴液孔。
優(yōu)選的,所述擋板外壁套設有密封層。
優(yōu)選的,所述分流板遠離泄流孔一端固定有輔助塊。
優(yōu)選的,所述限噴箱外側(cè)壁對應噴液孔處固定有噴射頭,所述噴射頭遠離噴液孔一端開設有噴射孔。
優(yōu)選的,所述分流板與噴液孔之間活動設置有緩沖板,所述緩沖板下端固定有彈簧。
優(yōu)選的,所述緩沖板側(cè)壁均固定有密封層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明中刻蝕液從進液孔進入到限噴箱內(nèi),然后通過導液管的傳遞作用,進入到限流塊的導液孔中,通過電動推桿帶動限流塊內(nèi)擋板上下移動,起到調(diào)節(jié)刻蝕液流量大小的作用,從而對刻蝕液進入分流孔的流量大小進行控制;通過對刻蝕液進入到分流箱內(nèi)的流量大小進行控制,控制刻蝕液流動到分流板的兩側(cè),當刻蝕液流量小時,刻蝕液從分流孔進入到分流箱內(nèi)時,根據(jù)刻蝕液自身重力落入到泄流孔一側(cè),然后從泄流孔向下流出,當刻蝕液流量大時,刻蝕液從分流孔進入到分流箱內(nèi)時,根據(jù)刻蝕液自身重力,能夠落入到噴液孔一側(cè),然后從噴液孔噴出,進行刻蝕。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





