[發明專利]共用電極半導體封裝結構在審
| 申請號： | 201710689849.8 | 申請日： | 2017-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN107464791A | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發明（設計）人： | 黎永陽;潘軍星 | 申請（專利權）人： | 東莞市阿甘半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所44287 | 代理人： | 胡海國,趙愛蓉 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市松山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 共用 電極 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述共用電極半導體封裝結構包括：引線框架、公共電極端和芯片層；
所述公共電極端設置在所述芯片層的上方并且所述芯片層的上表面與所述公共電極端電連接；
所述引線框架設置在所述芯片層的下方并且所述芯片層的下表面與所述引線框架電連接。
2.如權利要求1所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述共用電極半導體封裝結構還包括封裝體，所述封裝體設置在所述公共電極端上方，所述引線框架、所述公共電極端和所述芯片層均設置于所述封裝體內。
3.如權利要求2所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片層包括第一芯片子層，所述第一芯片子層包括：M個第一半導體芯片，M為正整數；
所述引線框架包括：與所述第一半導體芯片數量相同的引腳，各引腳與各第一半導體芯片一一對應且電連接。
4.如權利要求3所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述第一半導體芯片通過所述公共電極端實現相互連接，以使各第一半導體芯片具有一個共用電極。
5.如權利要求4所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述各第一半導體芯片的下表面貼裝在所述各引腳上。
6.如權利要求5所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片層還包括：第二芯片子層，所述第二芯片子層在所述第一芯片子層上方，所述第二芯片子層包括：第二半導體元器件和第一連接板；
所述第一連接板設置在所述第一芯片子層上方；
所述第一連接板的下表面與所述第一芯片子層的上表面電連接，所述第一連接板的上表面與所述第二半芯片子層的下表面電連接。
7.如權利要求6所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述第二芯片子層包括：與所述第一半導體芯片數量相同的第二半導體芯片；
所述第一連接板包括：與所述第二半導體芯片數量相同的連接片；
各第二半導體芯片通過所述第一連接板的連接片分別與所述各第一半導體芯片垂直互聯。
8.如權利要求7所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述引線框架中同一邊的所述各引腳的伸出方向平行，所述引線框架中不同邊的所述各引腳的伸出方向相反。
9.如權利要求8所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述引線框架中所述各引腳的在所述封裝體外的伸出部分均呈折彎狀，且所述伸出部分處于同一平面上。
10.如權利要求9所述的共用電極半導體封裝結構，其特征在于，所述引線框架中所述各引腳之間設置間隙或絕緣層實行電氣絕緣隔離。
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