[發明專利]陣列基板、陣列基板的制備方法和液晶面板

在審

• 申請號: 201710686158.2
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN107329343A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 向長江
• 申請（專利權）人: 東旭（昆山）顯示材料有限公司;東旭集團有限公司;東旭科技集團有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1335;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司11283
• 代理人: 李健,蔣愛花

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板(1)、形成于所述襯底基板(1)上的以陣列形式分布的多個像素單元(2)，每個所述像素單元(2)包括薄膜晶體管開關(20)，其中，所述薄膜晶體管開關(20)包括形成于所述襯底基板(1)上的柵極(200)，所述柵極(200)包括形成于所述襯底基板(1)上的第一反光層(200a)。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極(200)包括形成于所述第一反光層(200a)上方的第一透明導電層(200b)。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一反光層(200a)由反光金屬材料制備形成，所述反光金屬材料選自Al和Ag中的一種，和/或所述第一透明導電層(200b)由金屬氧化物制備形成，所述金屬氧化物選自ITO和IGZO中的一種。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一反光層(200a)的厚度為100nm-350nm，并且/或者，所述第一透明導電層(200b)的厚度為10nm-100nm。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管開關(20)包括依次形成于所述柵極(200)上方的柵絕緣層(201)、半導體層(202)、源漏電極層(203)和鈍化保護層(204)。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏電極層(203)包括間隔設置于所述半導體層(202)的表面的源極(203a)和漏極(203b)。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，每個所述像素單元(2)包括存儲電容部(21)，所述存儲電容部(21)包括依次形成于所述襯底基板(1)上的存儲電容下極板(211)、電介質層(212)以及穿過設置于所述鈍化保護層(204)表面的通孔與所述漏極(203b)電氣連接的像素電極層(210)。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲電容下極板(211)包括形成于所述襯底基板(1)上的第二反光層(211a)。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述存儲電容下極板(211)包括形成于所述第二反光層(211a)的上方的第二透明導電層(211b)。

10.根據權利要求9中所述的陣列基板，其特征在于，所述第二反光層(211a)由反光金屬材料制備形成，所述反光金屬材料選自Al和Ag中的一種，和/或所述第二透明導電層(211b)由金屬氧化物制備形成，所述金屬氧化物選自ITO和IGZO中的一種。

11.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述電介質層(212)包括依次形成于所述存儲電容下極板(211)上方的絕緣層(212a)和保護層(212b)，所述絕緣層(212a)與所述柵絕緣層(201)形成一體結構，所述保護層(212b)與所述鈍化保護層(204)形成一體結構。

12.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板的制備方法包括以下步驟：

S10、在襯底基板(1)上依次沉積第一材料和透明導電材料并構圖形成能夠反光的柵極(200)和存儲電容下極板(211)；

S20、在所述柵極(200)的表面依次沉積第二材料和第三材料并構圖形成柵絕緣層(201)、絕緣層(212a)、半導體層(202)，其中，所述絕緣層(212a)與所述柵絕緣層(201)同時形成且均由所述第二材料沉積并構圖形成；

S30、在所述半導體層(202)的表面沉積第四材料并構圖形成源漏電極層(203)，其中，所述源漏電極層(203)包括源極(203a)和漏極(203b)；

S40、在所述源漏電極層(203)的表面沉積第五材料并構圖形成鈍化保護層(204)和保護層(212b)，其中，所述保護層(212b)與所述鈍化保護層(204)同時形成且均由所述第五材料沉積并構圖形成，所述鈍化保護層(204)的表面形成與所述漏極(203b)相通的通孔；

S50、在所述保護層(212b)上沉積第六材料并構圖形成像素電極層(210)，所述像素電極層(210)穿過所述通孔與所述漏極(203b)電氣連接。