[發明專利]陣列基板、陣列基板的制備方法和液晶面板

在審

• 申請號: 201710686158.2
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN107329343A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 向長江
• 申請（專利權）人: 東旭（昆山）顯示材料有限公司;東旭集團有限公司;東旭科技集團有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1335;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司11283
• 代理人: 李健,蔣愛花

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術，具體地涉及一種陣列基板、陣列基板的制備方法和液晶面板。

背景技術

在平板顯示器中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、無輻射和制造成本相對較低等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。TFT-LCD通常包括液晶面板和背光模組(也可稱為背光源)。液晶面板本身并不發光，它顯示圖形或字符是它對光線調制的結果。背光模組為TFT-LCD的關鍵零組件之一，是位于薄膜晶體管液晶顯示器背后的一種光源，能夠為液晶面板提供均勻、高亮度的光源，使TFT-LCD能正常顯示影像。背光模組主要由光源、導光板、光學用膜片和塑膠框等組成。背光源具有亮度高，壽命長、發光均勻等特點，而背光模組的發光效果將直接影響到薄膜晶體管液晶顯示器的視覺效果。

現有的液晶面板主要包括相對設置的陣列基板、彩膜基板以及設置于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層。由于受被動發光方式的制約，TFT-LCD的功耗尤其是大尺寸的TFT-LCD的功耗比較高。陣列基板的掃描線一般采用鋁釹/鉬(ALNd/Mo)復合材料制作，其本身不能被光所透過，因此背光源在向外界傳輸的能量的損耗除了在穿透偏光片和液晶材料中損失掉，還有很大一部分光被陣列基板的掃描線、柵極遮擋并吸收掉，因此大大降低了背光的利用效率，由此增加了TFT-LCD的功耗。

發明內容

本發明的目的是為了克服現有技術存在的由于陣列基板中的柵極吸收光而使得背光源的利用效率較低的問題，提供一種陣列基板，該陣列基板能夠將經過柵極的光反射回去，從而提高了背光源的利用效率。

為了實現上述目的，本發明一方面提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板、形成于所述襯底基板上的以陣列形式分布的多個像素單元，每個所述像素單元包括薄膜晶體管開關，其中，所述薄膜晶體管開關包括形成于所述襯底基板上的柵極，所述柵極包括形成于所述襯底基板上的第一反光層。

優選地，所述柵極包括形成于所述第一反光層上方的第一透明導電層。

優選地，所述第一反光層由反光金屬材料制備形成，所述反光金屬材料選自Al和Ag中的一種，和/或所述第一透明導電層由金屬氧化物制備形成，所述金屬氧化物選自ITO和IGZO中的一種。

優選地，所述第一反光層的厚度為100nm-350nm，并且/或者，所述第一透明導電層的厚度為10nm-100nm。

優選地，所述薄膜晶體管開關包括依次形成于所述柵極上方的柵絕緣層、半導體層、源漏電極層和鈍化保護層。

優選地，所述源漏電極層包括間隔設置于所述半導體層的表面的源極和漏極。

優選地，每個所述像素單元包括存儲電容部，所述存儲電容部包括依次形成于所述襯底基板上的存儲電容下極板、電介質層以及穿過設置于所述鈍化保護層表面的通孔與所述漏極電氣連接的像素電極層。

優選地，所述存儲電容下極板包括形成于所述襯底基板上的第二反光層。

優選地，所述存儲電容下極板包括形成于所述第二反光層的上方的第二透明導電層。

優選地，所述第二反光層由反光金屬材料制備形成，所述反光金屬材料選自Al和Ag中的一種，和/或所述第二透明導電層由金屬氧化物制備形成，所述金屬氧化物選自ITO和IGZO中的一種。

優選地，所述電介質層包括依次形成于所述存儲電容下極板上方的絕緣層和保護層，所述絕緣層與所述柵絕緣層形成一體結構，所述保護層與所述鈍化保護層形成一體結構。

在上述技術方案中，通過在所述襯底基板上設置含有所述第一反光層的所述柵極，從而使得由背光源發出的光經過所述陣列基板時，所述柵極能夠將經過自身的光反射回去，這樣，當將該陣列基板應用于液晶面板中時，能夠提高背光源的利用效率，同時降低液晶面板的顯示功耗。另外，由于能夠將經過所述陣列基板的柵極的部分光反射回去，這樣減少了光照對所述陣列基板的電學特性的影響，由此大大降低了所述陣列基板因受到光照影響而產生較大漏電流的幾率。

本發明第二面提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括以下步驟：

S10、在襯底基板上依次沉積第一材料和透明導電材料并構圖形成能夠反光的柵極和存儲電容下極板；

S20、在所述柵極的表面依次沉積第二材料和第三材料并構圖形成柵絕緣層、絕緣層、半導體層，其中，所述絕緣層與所述柵絕緣層同時形成且均由所述第二材料沉積并構圖形成；