[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管裝置及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710685744.5
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN109378365B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅玉云;林子旸;賴育弘
• 申請（專利權(quán)）人: 英屬開曼群島商錼創(chuàng)科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L27/15;G09F9/33
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管裝置及其制作方法。在第一基板上形成多個第一型磊晶結(jié)構(gòu)，且這些第一型磊晶結(jié)構(gòu)彼此分離。這些第一型磊晶結(jié)構(gòu)與第一基板之間具有第一連接層與第一黏著層。第一連接層連接這些第一型磊晶結(jié)構(gòu)，且第一黏著層位于第一連接層與第一基板之間。第一連接層的楊氏模量大于第一黏著層的楊氏模量。移除位于任兩相鄰的第一型磊晶結(jié)構(gòu)之間的第一連接層，以形成彼此分離的多個第一連接部。各個第一連接部分別與對應(yīng)的第一型磊晶結(jié)構(gòu)相連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及其制造方法，尤其涉及一種微型發(fā)光二極管裝置及其制作方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的微型發(fā)光二極管裝置的制作步驟如下：首先，在成長基板上形成多個磊晶結(jié)構(gòu)，并在各個磊晶結(jié)構(gòu)上形成所需的電極。形成第一膠層于成長基板上，以包覆各個磊晶結(jié)構(gòu)及其電極。接著，使第一基板貼合于第一膠層，并移除成長基板。此時，這些磊晶結(jié)構(gòu)彼此之間的相對位置由第一膠層所固定。接著，使第二基板通過第二膠層貼合于這些磊晶結(jié)構(gòu)與第一膠層。最后，將這些磊晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至線路基板。

在使第二基板通過第二膠層貼合于第一膠層的過程中，需加熱第二膠層并對第二基板與第二膠層加壓。此時，受熱或受力的第一膠層會產(chǎn)生流動而對這些磊晶結(jié)構(gòu)造成沖擊，使得這些磊晶結(jié)構(gòu)彼此之間的相對位置產(chǎn)生偏移。也就是說，在將這些磊晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至線路基板上時，上述于制作步驟中所產(chǎn)生的缺陷會導(dǎo)致各個磊晶結(jié)構(gòu)上的電極無法精準(zhǔn)地對位至線路基板上的電性接點(diǎn)，進(jìn)而影響到制程效率、制程良率以及產(chǎn)品的可靠度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管裝置，其具有良好的可靠度。

本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管裝置的制作方法，其能提高制程效率與制程良率。

本發(fā)明的微型發(fā)光二極管裝置的制作方法，其包括以下制作步驟。(a)形成多個第一型磊晶結(jié)構(gòu)于第一基板上，且這些第一型磊晶結(jié)構(gòu)彼此分離，其中這些第一型磊晶結(jié)構(gòu)與第一基板之間具有第一連接層與第一黏著層。第一連接層連接這些第一型磊晶結(jié)構(gòu)，且第一黏著層位于第一連接層與第一基板之間，其中第一連接層的楊氏模量大于第一黏著層的楊氏模量。(b)移除位于任兩相鄰的第一型磊晶結(jié)構(gòu)之間的第一連接層，以形成彼此分離的多個第一連接部，其中各個第一連接部分別與對應(yīng)的第一型磊晶結(jié)構(gòu)相連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的微型發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：(c)使部分第一型磊晶結(jié)構(gòu)電性接合于目標(biāo)基板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的微型發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：(d)形成多個第二型磊晶結(jié)構(gòu)于第二基板上，且這些第二型磊晶結(jié)構(gòu)彼此分離，其中這些第二型磊晶結(jié)構(gòu)與第二基板之間具有第二連接層與第二黏著層。第二連接層連接這些第二型磊晶結(jié)構(gòu)，且第二黏著層位于第二連接層與第二基板之間，其中第二連接層的楊氏模量大于第二黏著層的楊氏模量。(e)移除位于任兩相鄰的第二型磊晶結(jié)構(gòu)之間的第二連接層，以形成彼此分離的多個第二連接部，其中各個第二連接部分別與對應(yīng)的第二型磊晶結(jié)構(gòu)相連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的微型發(fā)光二極管裝置的制作方法，還包括：(f)使步驟(b)的部分第一型磊晶結(jié)構(gòu)電性接合至目標(biāo)基板。(g)使步驟(e)的部分第二型磊晶結(jié)構(gòu)電性接合至目標(biāo)基板。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的每一個第一型磊晶結(jié)構(gòu)與對應(yīng)的第一連接部的總厚度小于等于每一個第二型磊晶結(jié)構(gòu)與對應(yīng)的第二連接部的總厚度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個第一連接部的厚度與對應(yīng)的第一型磊晶結(jié)構(gòu)的厚度的比值大于0.01且小于等于0.5。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個第一連接層的厚度與對應(yīng)的第一型磊晶結(jié)構(gòu)的邊長的比值大于0.001且小于等于0.3。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的于步驟(b)中，通過蝕刻方式移除位于任兩相鄰的第一型磊晶結(jié)構(gòu)之間的第一連接層，以形成彼此分離的這些第一連接部。