[發明專利]微型發光二極管裝置及其制作方法

有效

• 申請號: 201710685744.5
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN109378365B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 羅玉云;林子旸;賴育弘
• 申請（專利權）人: 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L27/15;G09F9/33
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種微型發光二極管裝置的制作方法，包括：

(a) 形成多個第一型磊晶結構于第一基板上，且所述多個第一型磊晶結構彼此分離，其中所述多個第一型磊晶結構與所述第一基板之間具有第一連接層與第一黏著層，所述第一連接層連接所述多個第一型磊晶結構，且所述第一黏著層位于所述第一連接層與所述第一基板之間，其中所述第一連接層的楊氏模量大于所述第一黏著層的楊氏模量；以及

(b) 移除位于任兩相鄰的所述多個第一型磊晶結構之間的所述第一連接層，以形成彼此分離的多個第一連接部，其中彼此分離的所述多個第一連接部的每一個位于所述第一黏著層與所述多個第一型磊晶結構之間，且所述多個第一連接部的每一個分別與對應的所述第一型磊晶結構相連接。

2.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置的制作方法，還包括：

(c) 使所述多個第一型磊晶結構的一部分電性接合于目標基板。

3.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置的制作方法，還包括：

(d) 形成多個第二型磊晶結構于第二基板上，且所述多個第二型磊晶結構彼此分離，其中所述多個第二型磊晶結構與所述第二基板之間具有第二連接層與第二黏著層，所述第二連接層連接所述多個第二型磊晶結構，且所述第二黏著層位于所述第二連接層與所述第二基板之間，其中所述第二連接層的楊氏模量大于所述第二黏著層的楊氏模量；以及

(e) 移除位于任兩相鄰的所述多個第二型磊晶結構之間的所述第二連接層，以形成彼此分離的多個第二連接部，其中所述多個第二連接部的每一個分別與對應的所述第二型磊晶結構相連接。

4.根據權利要求3所述的微型發光二極管裝置的制作方法，還包括：

(f) 使所述步驟(b)的所述多個第一型磊晶結構的一部分電性接合至目標基板；以及

(g) 使所述步驟(e)的所述多個第二型磊晶結構的一部分電性接合至所述目標基板。

5.根據權利要求4所述的微型發光二極管裝置的制作方法，其中所述多個第一型磊晶結構的每一個與對應的所述第一連接部的總厚度小于等于所述多個第二型磊晶結構的每一個與對應的所述第二連接部的總厚度。

6.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置的制作方法，其中所述多個第一連接部的每一個的厚度與對應的所述第一型磊晶結構的厚度的比值大于0.01且小于等于0.5。

7.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置的制作方法，其中所述多個第一連接層的每一個的厚度與對應的所述第一型磊晶結構的邊長的比值大于0.001且小于等于0.3。

8.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置的制作方法，在所述步驟(b)中，通過蝕刻方式移除位于任兩相鄰的所述多個第一型磊晶結構之間的所述第一連接層，以形成彼此分離的所述多個第一連接部。

9.根據權利要求1所述的微型發光二極管裝置的制作方法，在所述步驟(a)中，形成所述多個第一型磊晶結構于所述第一基板上的方法包括：

(a-1) 在第一成長載板上形成彼此分離的所述多個第一型磊晶結構；

(a-2) 移除所述第一成長載板；以及

(a-3) 形成所述第一連接層與所述第一黏著層，通過所述第一黏著層使所述多個第一型磊晶結構與所述第一基板接合。

10.根據權利要求9所述的微型發光二極管裝置的制作方法，所述步驟(a-1)與所述步驟(a-2)之間還包括：

(a-1-1) 形成假固定層以將所述多個第一型磊晶結構接合至暫時基板，其中所述假固定層與所述暫時基板的接合力小于所述第一黏著層與所述第一基板的接合力。

11.根據權利要求10所述的微型發光二極管裝置的制作方法，其中所述假固定層進一步包覆所述多個第一型磊晶結構。