[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710684495.8
• 申請日: 2017-08-11
• 公開（公告）號: CN107799597B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 洪承秀;李正允;閔庚石;樸勝周;成金重;林青美
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

本文所述的半導體器件可以包括：鰭狀圖案，沿第一方向延伸，其中第一側壁和第二側壁彼此面對；第一和第二柵電極，沿第二方向延伸并且彼此間隔開；第一柵極側墻，位于第一柵電極的側壁上；第二柵極側墻，位于第二柵電極的側壁上；鰭狀圖案中的第一溝槽，位于第一柵電極和第二柵電極之間并且具有第一寬度；以及鰭狀圖案中的第二溝槽，位于第一溝槽下方并且具有小于第一寬度的第二寬度。鰭狀圖案可以包括位于鰭狀圖案的側壁上的第一拐點和第二拐點，并且第二溝槽的底部表面可以低于所述拐點。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年9月2日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請No.10-2016-0112897的優先權，其全部公開內容通過引用并入本文中。

技術領域

本公開的多個方面涉及一種半導體器件。更具體地，本公開涉及一種包括鰭狀圖案的半導體器件。

背景技術

在用于提高半導體器件密度的規模化技術中，建議了一種多柵極晶體管，其中在襯底上形成鰭狀硅本體并在硅本體的表面上形成柵極。因為這種多柵極晶體管利用3維溝道，所以容易規模化。此外，即使多柵極晶體管的柵極長度不增加，也可以改進電流控制能力。此外，可以有效地抑制溝道區域的電位受漏極電壓影響的短溝道效應(SCE)。

發明內容

本公開的多個方面提供半導體器件，所述半導體器件能夠通過形成具有中等凹陷輪廓的外延溝槽結構以減少柵電極和外延層之間的重疊來改善元件特性。

根據本公開的一個方面，提供了一種半導體器件，包括：鰭狀圖案，所述鰭狀圖案沿第一方向延伸并且包括彼此面對的第一側壁和第二側壁；第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極沿與第一方向不同的第二方向延伸并且彼此間隔開；第一柵極側墻，位于第一柵電極的側壁上；第二柵極側墻，位于第二柵電極的側壁上；第一溝槽，所述第一溝槽位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間以在所述鰭狀圖案中具有第一寬度；以及第二溝槽，所述第二溝槽位于所述第一溝槽下方以在所述鰭狀圖案中具有小于第一寬度的第二寬度，其中，所述鰭狀圖案包括位于所述第一側壁上的第一拐點和位于所述第二側壁上的第二拐點，以及所述第二溝槽的底部表面低于所述第一拐點和所述第二拐點。

根據本公開的另一個方面，提供了一種半導體器件，包括：鰭狀圖案，所述鰭狀圖案沿第一方向延伸并且包括彼此面對的第一側壁和第二側壁；第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極沿與第一方向不同的第二方向延伸并且彼此間隔開；第一柵極側墻，所述第一柵極側墻位于所述第一柵電極的側壁上，并且包括位于所述鰭狀圖案的第一側壁上的第一子柵極側墻和位于所述鰭狀圖案的第二側壁上的第二子柵極側墻；第一溝槽，所述第一溝槽位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間以在所述鰭狀圖案中具有第一寬度；以及第二溝槽，所述第二溝槽位于所述第一溝槽下方以在所述鰭狀圖案中具有小于第一寬度的第二寬度，其中，沿所述第二方向測量的所述第一子柵極側墻和所述第二子柵極側墻之間的第一間隔大于在同一平面內沿所述第二方向測量的所述鰭狀圖案的第一側壁和第二側壁之間的第二間隔。

根據本公開的另一個方面，提供了一種包括鰭狀圖案的半導體器件，所述鰭狀圖案沿第一方向延伸并且包括第一側壁和第二側壁。所述半導體器件可以包括：第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極沿與第一方向不同的第二方向延伸并且彼此間隔開。所述半導體器件可以包括：位于所述第一柵電極的側壁上的第一柵極側墻和位于所述第二柵電極的側壁上的第二柵極側墻；以及在所述鰭狀圖案中位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間的溝槽。所述溝槽可以具有階梯輪廓。所述溝槽可以包括具有第一寬度的第一部分和位于所述第一部分下方且具有小于第一寬度的第二寬度的第二部分。所述鰭狀圖案可以包括位于所述鰭狀圖案的第一側壁上的第一拐點和位于所述鰭狀圖案的第二側壁上的第二拐點，并且所述溝槽的第二部分的底部表面可以低于所述第一拐點和所述第二拐點。

通過參考下面給出的詳細描述，在本發明內容中未提及的本公開的其它方面將對于本領域普通技術人員將變得更加清楚。

附圖說明