[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710684495.8
• 申請(qǐng)日: 2017-08-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107799597B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪承秀;李正允;閔庚石;樸勝周;成金重;林青美
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

鰭狀圖案，所述鰭狀圖案沿第一方向延伸并且包括彼此面對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁；

第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極沿與第一方向不同的第二方向延伸并且彼此間隔開(kāi)；

第一柵極側(cè)墻，位于第一柵電極的側(cè)壁上；

第二柵極側(cè)墻，位于第二柵電極的側(cè)壁上；

所述鰭狀圖案中的第一溝槽，位于第一柵電極和第二柵電極之間，所述第一溝槽具有第一寬度；以及

所述鰭狀圖案中并且位于第一溝槽下方的第二溝槽，所述第二溝槽具有小于第一寬度的第二寬度，

其中，所述鰭狀圖案包括位于所述鰭狀圖案的第一側(cè)壁上的第一拐點(diǎn)和位于所述鰭狀圖案的第二側(cè)壁上的第二拐點(diǎn)，

其中，所述第二溝槽的底部表面低于所述第一拐點(diǎn)和第二拐點(diǎn)，以及

其中，所述第二溝槽中的外延層的底部表面低于所述半導(dǎo)體器件的場(chǎng)絕緣膜的頂部表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二溝槽的第二寬度小于所述第一柵極側(cè)墻的外壁和所述第二柵極側(cè)墻的外壁之間的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一溝槽的第一寬度小于所述第一柵電極的側(cè)壁和所述第二柵電極的側(cè)壁之間的寬度，以及

其中所述第一溝槽的第一寬度大于所述第一柵極側(cè)墻的外壁和所述第二柵極側(cè)墻的外壁之間的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述外延層在所述第一溝槽中，并且其中所述第一溝槽的第一寬度大于所述第一溝槽中的所述外延層的最頂部表面的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一拐點(diǎn)和所述第二拐點(diǎn)位于與所述第一溝槽的底部表面相同的平面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中從所述鰭狀圖案的頂部表面到所述第二溝槽的底部表面的第一深度大于從所述鰭狀圖案的頂部表面到所述第一溝槽的底部表面的第二深度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

所述場(chǎng)絕緣膜，所述場(chǎng)絕緣膜覆蓋所述鰭狀圖案的側(cè)表面，

其中所述場(chǎng)絕緣膜的頂部表面高于所述第二溝槽的底部表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述外延層在所述第一溝槽中，并且其中所述場(chǎng)絕緣膜的頂部表面低于所述第一溝槽中的所述外延層的頂部表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

所述場(chǎng)絕緣膜，所述場(chǎng)絕緣膜覆蓋所述鰭狀圖案的側(cè)表面，

其中所述場(chǎng)絕緣膜的頂部表面低于所述第一溝槽的底部表面。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

鰭狀圖案，所述鰭狀圖案沿第一方向延伸并且包括彼此面對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁；

第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極沿與第一方向不同的第二方向延伸并且彼此間隔開(kāi)；

第一柵極側(cè)墻，所述第一柵極側(cè)墻位于所述第一柵電極的側(cè)壁上，并且包括位于所述鰭狀圖案的第一側(cè)壁上的第一子?xùn)艠O側(cè)墻和位于所述鰭狀圖案的第二側(cè)壁上的第二子?xùn)艠O側(cè)墻；

所述鰭狀圖案中的第一溝槽，所述第一溝槽位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，所述第一溝槽具有第一寬度；以及

所述鰭狀圖案中的第二溝槽，所述第二溝槽位于第一溝槽下方，所述第二溝槽具有小于第一寬度的第二寬度，

其中，沿第二方向測(cè)量的所述第一子?xùn)艠O側(cè)墻和所述第二子?xùn)艠O側(cè)墻之間的第一間隔大于在同一平面內(nèi)沿所述第二方向測(cè)量的所述鰭狀圖案的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁之間的第二間隔。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一間隔大于在同一平面內(nèi)沿所述第二方向測(cè)量的所述第二溝槽的第二寬度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一子?xùn)艠O側(cè)墻和所述第一柵電極的側(cè)壁的相交處形成銳角。