[發(fā)明專利]SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710676150.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107578796A | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李璘;孫金泉;蔡登勝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣西柳工機(jī)械股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C29/02 | 分類號(hào): | G11C29/02 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 545007 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sram 芯片 地址 引腳 短路 檢測(cè) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種SRAM芯片線路檢測(cè),更具體地說,涉及一種SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
SRAM是控制器電路中重要的元器件,控制器硬件出廠時(shí),要對(duì)所有元器件進(jìn)行檢測(cè)。對(duì)SRAM某個(gè)地址讀寫,可以判斷SRAM芯片是否損壞,以及數(shù)據(jù)線是否虛焊。申請(qǐng)?zhí)枮?01410848838.6中國專利文獻(xiàn)公開了一種SRAM的現(xiàn)有檢測(cè)方法,該方法只能識(shí)別SRAM芯片引腳焊接不良如未焊接或虛焊的故障情況,不能檢測(cè)地址引腳線之間的短路(焊錫將相鄰引腳粘連)的情況。申請(qǐng)?zhí)枮?01610298683.2中國專利文獻(xiàn)公開了另一種SRAM的現(xiàn)有檢測(cè)方法,該方法需要借助外部裝置才能檢測(cè),而且不能精確定位故障引腳,只能判斷SRAM正常或異常,并需要全片SRAM讀寫,時(shí)間較長。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中不能對(duì)SRAM芯片地址引腳線短路故障進(jìn)行快速精確檢測(cè)定位的問題,而提供一種能夠快速精確定位SRAM芯片短路的地址引腳線的SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法。
本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)其目的的技術(shù)方案是這樣的:提供一種SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法,其特征在于包括以下步驟:
S1:根據(jù)SRAM芯片地址引腳的排列特性,列出地址引腳間可能短路的待檢引腳組;
S2:根據(jù)電路的編址規(guī)則,獲得SRAM芯片的起始地址,并確定所有與待檢引腳組相對(duì)應(yīng)的相關(guān)地址;每個(gè)相關(guān)地址中除了與該相關(guān)地址對(duì)應(yīng)的待檢引腳組之外的其他地址引腳賦值均為0且待檢引腳組中所有地址引腳賦值不全相同;
S3:依次向所有相關(guān)地址中寫入與起始地址中數(shù)據(jù)不同的校驗(yàn)數(shù)據(jù),比較校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入前后起始地址中的數(shù)據(jù),若起始地址中的數(shù)據(jù)發(fā)生變化則與該對(duì)應(yīng)相關(guān)地址的待檢引腳組中引腳間具有短路故障,即每次向相關(guān)地址中寫入校驗(yàn)數(shù)據(jù)之后讀取起始地址中的數(shù)據(jù)值并與向相關(guān)地址中寫入校驗(yàn)數(shù)據(jù)之前的起始地址中數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,若向相關(guān)地址中寫入校驗(yàn)數(shù)據(jù)之前的起始地址中數(shù)據(jù)與向相關(guān)地址中寫入數(shù)據(jù)之后的起始地址中數(shù)據(jù)相同,則與該相關(guān)地址對(duì)應(yīng)的待檢引腳組中各引腳之間為短路連接。
上述SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法中,每個(gè)待檢引腳組包括兩個(gè)相鄰的地址引腳。
上述SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法中,列出的待檢引腳組包括由兩個(gè)至六個(gè)依次相鄰地址引腳組成的待檢引腳組,也即包括由兩個(gè)相鄰地址引腳組成的待檢引腳組、三個(gè)依次相鄰地址引腳組成的待檢引腳組、四個(gè)依次相鄰地址引腳組成的待檢引腳組、五個(gè)依次相鄰地址引腳組成的待檢引腳組、六個(gè)依次相鄰地址引腳組成的待檢引腳組。
上述SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法中,步驟S3中,每次向相關(guān)地址中寫入校驗(yàn)數(shù)據(jù)之前都向起始地址中寫入數(shù)據(jù),寫入到起始地址中的數(shù)據(jù)與寫入到各相關(guān)地址中的校驗(yàn)數(shù)據(jù)均不相同。例如寫入到起始地址中的數(shù)據(jù)值為0,寫入到各相關(guān)地址中的數(shù)據(jù)為非0值,寫入到各相關(guān)地址中的數(shù)據(jù)值可以相同,也可以不同。
上述SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法中,起始地址中的數(shù)據(jù)、寫入到各相關(guān)地址中的各數(shù)據(jù)均不相同。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明可以檢測(cè)地址線引腳線是否短路,檢測(cè)速度較快且精確,提高了SRAM的檢測(cè)效率。
附圖說明
圖1是本發(fā)明中SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法的流程圖。
圖2是本發(fā)明中SRAM芯片的地址引腳分布圖。
圖3是本發(fā)明中SRAM芯片的相鄰兩路地址引腳間可能短路的所有待檢引腳組列表。
圖4是本發(fā)明中SRAM芯片的兩路短路待檢引腳組與對(duì)應(yīng)相關(guān)地址的計(jì)算列表。
圖5是本發(fā)明中SRAM芯片的地址引腳間所有短路可能的待檢引腳組列表。
圖6是本發(fā)明中SRAM芯片的所有短路可能的待檢引腳組與對(duì)應(yīng)相關(guān)地址的計(jì)算列表。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖說明具體實(shí)施方案。
如圖1所示,本實(shí)施例中的SRAM芯片地址引腳線短路檢測(cè)方法包括如下步驟:
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G11C 靜態(tài)存儲(chǔ)器
G11C29-00 存儲(chǔ)器正確運(yùn)行的校驗(yàn);備用或離線操作期間測(cè)試存儲(chǔ)器
G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
G11C29-54 .設(shè)計(jì)檢測(cè)電路的裝置,例如,可測(cè)試性設(shè)計(jì)
G11C29-56 .用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部測(cè)試裝置,例如,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備





