[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710670014.8 | 申請日: | 2017-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN107706130B | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 神谷將也;出村健介;松嶋大輔;中野晴香;伊萬·彼得羅夫·加納切夫 | 申請(專利權(quán))人: | 芝浦機械電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 周善來;王玉玲 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,具備:
放置部,放置基板并使其旋轉(zhuǎn);
液體供給部,向所述基板的所述放置部側(cè)的相反側(cè)的第一面供給凝固時體積膨脹的液體;
冷卻部,向所述基板的所述放置部側(cè)的第二面供給冷卻氣體;
及控制部,對所述基板的轉(zhuǎn)速、所述液體的供給量和所述冷卻氣體的流量進行控制,
所述基板處理裝置的特征為,
所述控制部對所述液體供給部進行控制,以比凝固點高的溫度向所述第一面供給所述液體,而且,控制所述冷卻部向所述第二面供給所述冷卻氣體,然后,在經(jīng)過規(guī)定時間之前維持這個狀態(tài),
在經(jīng)過所述規(guī)定時間之后,一邊控制所述冷卻部供給所述冷卻氣體,一邊控制所述液體供給部停止所述液體的供給,
在停止所述液體供給之后,位于所述第一面上的所述液體從凝固點以上的溫度變?yōu)檫^冷卻狀態(tài),在變?yōu)樗鲞^冷卻狀態(tài)的所述液體的至少一部分冷凍之前的期間,維持向所述第二面供給的所述冷卻氣體的供給量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征為,
還具備氣體供給部,將溫度比所述冷卻氣體的溫度更高的氣體混合于所述冷卻氣體,
所述控制部通過增加所述氣體的流量,將位于所述第一面上的所述液體從凝固點以上的溫度變?yōu)檫^冷卻狀態(tài)。
3.一種基板處理裝置,具備:
放置部,放置基板并使其旋轉(zhuǎn);
液體供給部,向所述基板的所述放置部側(cè)的相反側(cè)的第一面供給凝固時體積膨脹的液體;
冷卻部,向所述基板的所述放置部側(cè)的第二面供給冷卻氣體;
及控制部,對所述基板的轉(zhuǎn)速、所述液體的供給量和所述冷卻氣體的流量進行控制,
所述基板處理裝置的特征為,
所述控制部對所述液體供給部進行控制,以比凝固點高的溫度向所述第一面供給所述液體,而且,控制所述冷卻部向所述第二面供給所述冷卻氣體,然后,在經(jīng)過規(guī)定時間之前維持這個狀態(tài),
在經(jīng)過所述規(guī)定時間之后,一邊控制所述冷卻部供給所述冷卻氣體,一邊控制所述液體供給部停止所述液體的供給,
在停止所述液體供給之后,執(zhí)行減少所述基板的轉(zhuǎn)速和減少所述冷卻氣體的流量中的至少任意一項,使位于所述第一面上的所述液體從凝固點以上的溫度變?yōu)檫^冷卻狀態(tài),
所述控制部控制所述基板的轉(zhuǎn)速、所述液體的供給量和所述冷卻氣體的流量中的至少任一項的一個數(shù)值,按照將所述液體從凝固點以上的溫度變?yōu)楸冗^冷卻狀態(tài)期間的數(shù)值更大的值的方式進行控制,使處于所述過冷卻狀態(tài)的所述液體的至少一部分冷凍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置,其特征為,
還具備氣體供給部,將溫度比所述冷卻氣體的溫度更高的氣體混合于所述冷卻氣體,
所述控制部通過執(zhí)行增加所述氣體的流量、減少所述冷卻氣體的流量以及增大所述氣體的比例以便改變所述氣體與所述冷卻氣體的混合比例中的至少任一項,將位于所述第一面上的所述液體從凝固點以上的溫度變?yōu)檫^冷卻狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的基板處理裝置,其特征為,
還具備測定部,對位于所述基板面上的所述液體的溫度及所述液體的厚度中的至少任意一個進行測定,
根據(jù)由所述測定部測定出的所述液體的溫度及所述液體的厚度中的至少任意一個,所述控制部對所述基板的轉(zhuǎn)速及所述冷卻氣體的流量中的至少任意一個進行控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其特征為,
所述液體包括水,
所述控制部使處于所述過冷卻狀態(tài)的所述液體的溫度為-35℃以上-20℃以下的所述液體的至少一部分冷凍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的基板處理裝置,其特征為,
所述控制部執(zhí)行如下控制:
在向所述液體供給部供給所述液體時,通過所述放置部以第1轉(zhuǎn)速使所述基板旋轉(zhuǎn),
在停止向所述液體供給部供給所述液體時,通過所述放置部以低于所述第1轉(zhuǎn)速的第2轉(zhuǎn)速使基板旋轉(zhuǎn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





