[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

有效

• 申請號: 201710670014.8
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN107706130B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 神谷將也;出村健介;松嶋大輔;中野晴香;伊萬·彼得羅夫·加納切夫
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;王玉玲

本發明提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，其能夠提高對污染物的除去率。實施方式所涉及的基板處理裝置具備：放置部，放置基板并使其旋轉；液體供給部，向所述基板的所述放置部側的相反側的面供給液體；冷卻部，向所述基板的所述放置部側的面供給冷卻氣體；及控制部，對所述基板的轉速、所述液體的供給量、所述冷卻氣體的流量中的至少任意一個進行控制。所述控制部使位于所述基板面上的所述液體處于過冷卻狀態，并冷凍處于所述過冷卻狀態的所述液體的至少一部分。

技術區域

本發明的實施方式涉及一種基板處理裝置以及基板處理方法。

背景技術

在蓋印用模板、光刻用掩模基板、半導體晶片等微觀結構體中，基板表面上形成有細微的凹凸部。

在此，作為除去附著于基板表面的顆粒等污染物的方法，已周知超聲波清洗法、雙流體噴射清洗法等。但是，如果對基板施加超聲波或者對基板表面噴射流體，則形成于基板表面的細微的凹凸部有可能發生破損。另外，近幾年伴隨凹凸部細微化的推進，凹凸部變得更容易發生破損。

于是，作為除去附著于基板表面的污染物的方法，提出了冷凍清洗法(例如，參照專利文獻1)。

冷凍清洗法中，首先，向旋轉的基板的表面供給純水，排出被供給的純水的一部分而在基板的表面上形成水膜。接下來，向基板的形成有水膜的側供給冷卻氣體而冷凍水膜。當水膜發生冷凍而形成冰膜時，污染物包進冰膜中，從而污染物從基板表面分離。接下來，向冰膜供給純水而溶解冰膜，與純水一起將污染物從基板表面除去。

根據冷凍清洗法，能夠抑制形成于基板表面的細微的凹凸部發生破損。

但是，如果向基板的形成有水膜的側供給冷卻氣體，則從水膜的表面側(水膜的基板側的相反側)開始發生冷凍。如果從水膜的表面側開始發生冷凍，則難以使附著于基板表面的不純物從基板表面分離。因此，難以提高對污染物的除去率。

專利文獻1：日本國特開2013-69764號公報

發明內容

本發明所要解決的問題是提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，其能夠提高對污染物的除去率。

實施方式所涉及的基板處理裝置具備：放置部，放置基板并使其旋轉；液體供給部，向所述基板的所述放置部側的相反側的第一面供給凝固時體積膨脹的液體；冷卻部，向所述基板的所述放置部側的第二面供給冷卻氣體；及控制部，對所述基板的轉速、所述液體的供給量和所述冷卻氣體的流量進行控制，所述基板處理裝置的特征為，所述控制部對所述液體供給部進行控制，以比凝固點高的溫度向所述第一面供給所述液體，而且，控制所述冷卻部向所述第二面供給所述冷卻氣體，然后，在經過規定時間之前維持這個狀態，在經過所述規定時間之后，一邊控制所述冷卻部供給所述冷卻氣體，一邊控制所述液體供給部停止所述液體的供給，在停止所述液體供給之后，位于所述第一面上的所述液體從凝固點以上的溫度變為過冷卻狀態，在變為所述過冷卻狀態的所述液體的至少一部分冷凍之前的期間，維持向所述第二面供給的所述冷卻氣體的供給量。

根據本發明的實施方式，提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，其能夠提高對污染物的除去率。

附圖說明

圖1是用于例示本實施方式所涉及的基板處理裝置1的模式圖。

圖2是用于例示本實施方式所涉及的基板處理方法的時間圖。

圖3是用于例示僅執行過冷卻工序時及執行過冷卻工序、冷凍工序時的曲線圖。

圖4是用于例示過冷卻工序中的液體101溫度與冷凍工序中的體積膨脹率的關系的曲線圖。

圖5是用于例示在多次反復執行液體101的供給工序、過冷卻工序、冷凍工序時的曲線圖。

圖6是用于例示其他實施方式所涉及的基板處理裝置1a的模式圖。