[發(fā)明專利]低電壓帶隙基準(zhǔn)源電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710668441.2 | 申請日: | 2017-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN107390758A | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李天望;姜黎;袁濤;萬鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南國科微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 長沙市阿凡提知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司43216 | 代理人: | 劉偉 |
| 地址: | 410125 湖南省長沙市*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電壓 基準(zhǔn) 電路 | ||
本發(fā)明提供了一種低電壓帶隙基準(zhǔn)源電路,包括:負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路,用于產(chǎn)生負(fù)溫度系數(shù)電流;電壓相減電路,用于對所述負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生的不同溫度系數(shù)的電壓進(jìn)行相減運(yùn)算。與相關(guān)技術(shù)相比,本發(fā)明提供的低電壓帶隙基準(zhǔn)源電路具有如下有益效果:可以輸出1V以下的基準(zhǔn)電壓;工作電源電壓低;基準(zhǔn)電壓的輸出阻抗低,可以直接驅(qū)動阻性負(fù)載;省略了輸出緩沖放大器。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基準(zhǔn)源電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種低電壓帶隙基準(zhǔn) 源電路。
背景技術(shù)
帶隙基準(zhǔn)源是集成電路中的一個重要模塊,傳統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)方法是采 用一個正溫度系數(shù)的電壓和一個負(fù)溫度系數(shù)的電壓相加來實(shí)現(xiàn)低溫 度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)源。此類結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)源輸出電壓在1.25V左 右。隨著CMOS技術(shù)的發(fā)展,芯片的工作電壓越來越低,電壓基準(zhǔn) 在1V以下,通常采用電流模式來實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的基準(zhǔn)電壓源,即通過正 溫度系數(shù)的電流源和負(fù)溫度系數(shù)的電流源相加,合并后的電流偏置在 電阻上,從而形成基準(zhǔn)電壓源。
采用電流相加產(chǎn)生的基準(zhǔn)源,在使用過程中,通常會需要一個輸 出緩沖器來驅(qū)動阻性負(fù)載。
因此,有必要提供一種新的低電壓帶隙基準(zhǔn)源電路來解決上述問 題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供一種低電壓帶隙基準(zhǔn)源電路, 其可以輸出1V以下的基準(zhǔn)電壓,工作電源電壓低,基準(zhǔn)電壓的輸出 阻抗低,可以直接驅(qū)動阻性負(fù)載。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種低電壓帶隙基準(zhǔn)源電 路,包括:
負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路,用于產(chǎn)生負(fù)溫度系數(shù)電流;
電壓相減電路,用于對所述負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生的不同溫度系數(shù) 的電壓進(jìn)行相減運(yùn)算;
所述負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路包括:第一PMOS管、第二PMOS 管、第一運(yùn)算放大器、第一三極管以及第一電阻;所述第一PMOS 管和所述第二PMOS管的源極分別連接電壓源,所述第一PMOS管 的柵極連接所述第二PMOS管的柵極和所述第一運(yùn)算放大器的輸出 端,所述第一PMOS管的漏極連接所述第一三極管的發(fā)射極和所述 第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端;所述第二PMOS管的漏極連接所述第 一運(yùn)算放大器的正輸入端和所述第一電阻的一端;所述第一三極管的 基極和集電極連接形成二極管形式,所述第一三極管的基極和集電極 連接所述第一電阻的另一端并接地;所述第一電阻的另一端接地;
所述電壓相減電路包括:第三PMOS管、第四PMOS管、第二 運(yùn)算放大器、第二電阻、第三電阻以及第二三極管;所述第三PMOS 管的源極和所述第四PMOS管的源極分別連接電壓源,所述第三 PMOS管的柵極連接所述第一運(yùn)算放大器的輸出端和所述第四 PMOS管的柵極,所述第三PMOS管的漏極連接所述第二三極管的 發(fā)射極和所述第二運(yùn)算放大器的正輸入端;所述第四PMOS管的柵 極連接所述第一運(yùn)算放大器的輸出端,所述第四PMOS管的漏極連 接所述第二電阻的一端、所述第三電阻的一端以及所述第二運(yùn)算放大 器的負(fù)輸入端;所述第二三極管的基極和集電極連接形成二極管形 式,所述第二三極管的基極和集電極連接所述第一電阻的另一端并接 地;所述第二電阻的另一端接地;所述第三電阻的另一端連接所述第 二運(yùn)算放大器的輸出端。
與相關(guān)技術(shù)相比,本發(fā)明提供的低電壓帶隙基準(zhǔn)源電路具有如下 有益效果:
1、可以輸出1V以下的基準(zhǔn)電壓;
2、工作電源電壓低;
3、基準(zhǔn)電壓的輸出阻抗低,可以直接驅(qū)動阻性負(fù)載;
4、省略了輸出緩沖放大器。
附圖說明
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