[發明專利]一種提升正片外層AOI檢修效率的方法在審
| 申請號： | 201710667115.X | 申請日： | 2017-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN107548239A | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 徐文中;胡志楊;李江;汪廣明 | 申請（專利權）人： | 江門崇達電路技術有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/22 | 分類號： | H05K3/22 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務所44242 | 代理人： | 馮筠 |
| 地址： | 529000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提升 正片 外層 aoi 檢修 效率 方法 | ||
1.一種提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、以正片工藝在生產板上制作外層線路中，在退錫后，用火山灰磨板；
S2、磨板后，對生產板進行微蝕處理，控制微蝕量為0.05-0.15μm；
S3、對生產板進行AOI雙面掃描；
S4、最后對生產板進行外層AOI檢修。
2.根據權利要求1所述的提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，步驟S1中，火山灰的濃度為15-25wt％。
3.根據權利要求2所述的提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，步驟S1中，火山灰的濃度為20wt％。
4.根據權利要求1所述的提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，步驟S2中，微蝕處理控制微蝕量為0.1μm。
5.根據權利要求1所述的提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，步驟S2中，微蝕處理用的微蝕液含5-15g/L的Na2S2O8、1-2％(v/v)的H2SO4和0-25g/L的Cu2+。
6.根據權利要求5所述的提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，步驟S2中，微蝕處理用的微蝕液含10g/L的Na2S2O8、1.5％(v/v)的H2SO4。
7.根據權利要求1所述的提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，步驟S3中，AOI雙面掃描所用的AOI掃描儀與微蝕處理中的蝕刻線相連。
8.根據權利要求1所述的提升正片外層AOI檢修效率的方法，其特征在于，步驟S1中，所述生產板為已經過沉銅和全板電鍍工序的生產板。
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