[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710664482.4
• 申請日: 2017-08-04
• 公開（公告）號: CN108630692B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 加藤竜也;村越篤;荒井史隆
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11526
• 分類號: H01L27/11526;H01L27/11524
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于，具備：

第1電極膜，沿著第1方向及相對于所述第1方向交叉的第2方向擴展；

第2電極膜，設置在相對于所述第1電極膜中的除所述第1方向兩側的第1端部及第2端部以外的部分為與包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向側；

第1絕緣板，沿著所述第2方向上相互隔開的兩列的第1列而配置，在各所述第1列中沿著所述第1方向間斷地配置，在所述第3方向上貫通所述第1電極膜及所述第2電極膜；

第2絕緣板，設置于兩列的所述第1列間，沿著所述第2方向上相互隔開的n列的第2列(n為1以上的整數)而配置，在各所述第2列中沿著所述第1方向間斷地配置，在所述第3方向上貫通所述第1電極膜及所述第2電極膜；

第3絕緣板，設置于兩列的所述第1列中的一列與由所述第2列之間，沿著所述第1方向間斷地配置，在所述第3方向上貫通所述第1電極膜及所述第2電極膜；

第1絕緣部件，設置于所述第1絕緣板與所述第3絕緣板之間，與所述第1絕緣板及所述第3絕緣板相接，在所述第3方向上貫通所述第1電極膜及所述第2電極膜；

第2絕緣部件，設置于所述第2絕緣板與所述第3絕緣板之間，與所述第2絕緣板及所述第3絕緣板相接，在所述第3方向上貫通所述第1電極膜及所述第2電極膜；

半導體部件，在所述第3方向上延伸；以及

電荷儲存部件，設置于所述第1電極膜中的除所述第1端部及所述第2端部以外的部分與所述半導體部件之間；

所述第1電極膜在兩列的所述第1列間，被所述第2絕緣板、所述第3絕緣板、所述第1絕緣部件及所述第2絕緣部件分割為相互絕緣的兩個部分，

所述第2電極膜在兩列的所述第1列間，被所述第2絕緣板、所述第3絕緣板、所述第1絕緣部件及所述第2絕緣部件分割為相互絕緣的{(n+1)×2}個部分。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，還具備：

第3絕緣部件，設置于所述第1方向上相鄰的所述第1絕緣板間，且所述第2方向上的長度長于所述第1絕緣板；

第4絕緣部件，設置于所述第1方向上相鄰的所述第2絕緣板間，且所述第2方向上的長度長于所述第2絕緣板；以及

第5絕緣部件，設置于所述第1方向上相鄰的所述第3絕緣板間，且所述第2方向上的長度長于所述第3絕緣板。

3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，還具備：

第1接點，在所述第3方向上延伸，且連接于所述第1電極膜中的配置于所述第1方向上相鄰的所述第2絕緣板之間的部分；以及

第2接點，在所述第3方向上延伸，且連接于所述第2電極膜中的配置于所述第1方向上相鄰的所述第3絕緣板之間的部分。

4.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：還具備沿著所述第1方向及所述第2方向擴展的第3電極膜，

所述第1電極膜配置于所述第3電極膜與所述第2電極膜之間，

所述第3電極膜在兩列的所述第1列間，被所述第2絕緣板、所述第3絕緣板、所述第1絕緣部件及所述第2絕緣部件分割為相互絕緣的兩個部分。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：還具備第3接點，該第3接點在所述第3方向上延伸，且連接于所述第3電極膜中的配置于所述第1方向上相鄰的所述第3絕緣板之間的部分。

6.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：還具備沿著所述第1方向及所述第2方向擴展的第4電極膜，

所述第3電極膜配置于所述第4電極膜與所述第1電極膜之間，

所述第4電極膜在兩列的所述第1列間，被所述第2絕緣板、所述第3絕緣板、所述第1絕緣部件及所述第2絕緣部件分割為相互絕緣的兩個部分。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲裝置，其特征在于：還具備第4接點，該第4接點在所述第3方向上延伸，且連接于所述第4電極膜中的配置于所述第1方向上相鄰的所述第2絕緣板之間的部分。

8.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述n為1。