[發明專利]一種基板冷卻裝置及冷卻方法有效
| 申請號: | 201710661990.7 | 申請日: | 2017-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN107706128B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發明(設計)人: | 楊元隆 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/00;H01L21/677 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 冷卻 裝置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及基板制作技術領域,尤其涉及一種基板冷卻裝置及冷卻方法。
背景技術
由于TFT(Thin Film Transistor,即薄膜晶體管)制程過程中會反復地對玻璃基板產品進行-加熱-冷卻-加熱-冷卻……的循環反應,使得玻璃不斷進行膨漲-收縮-膨漲-收縮……的循環變化,造成玻璃呈不規則變形,尤其是基板面積越大,玻璃基板四周的收縮量大于玻璃基板四角的情況也越來越明顯。
而目前的降溫設備中,為了保證玻璃基板各個部位的冷卻速度一致,通常采用整面的降溫板對其上方的玻璃基板進行降溫,然而,由于玻璃基板各個角暴露在空氣中的面積較多,其降溫速率本身就大于其四個邊的降溫速率,現有的此種設備仍然無法改善玻璃基板的收縮量不均的現象。
發明內容
鑒于現有技術存在的不足,本發明提供了一種基板冷卻裝置及冷卻方法,可以很好地改善玻璃基板的收縮量不均的現象,避免玻璃基板各區域收縮量不一致引起的不規則變形。
為了實現上述的目的,本發明采用了如下的技術方案:
一種基板冷卻裝置,包括冷卻水供應裝置、連接所述冷卻水供應裝置且用于對上方的基板進行冷卻的冷卻水管和分別連接所述冷卻水管的多個進水口和多個出水口,所述進水口連接所述冷卻水供應裝置;所述冷卻水管呈矩形分布,且所述冷卻水管的矩形分布區域被劃分為多個子區域,每個所述子區域的所述冷卻水管兩端均只連接有一個所述進水口和一個所述出水口;所述進水口設于所述矩形分布區域的中部,所述出水口設于所述矩形分布區域的角部,且每個所述子區域的所述冷卻水管首先自相應的所述進水口延伸至靠近所述矩形分布區域的中心后,呈蛇形迂回地引出至角部的所述出水口。
作為其中一種實施方式,所述矩形分布區域被劃分為關于其對稱軸對稱設置的多個所述子區域。
作為其中一種實施方式,每個所述子區域的面積相同。
作為其中一種實施方式,所述子區域為4個,分別呈矩形布置。
作為其中一種實施方式,所述子區域的所述冷卻水管包括多段與其所屬的所述子區域的對角線平行的第一段。
作為其中一種實施方式,所述子區域的所述冷卻水管還包括多段與其所屬的所述子區域的邊界平行的第二段,所述第一段與所述第二段相鄰且依次連接。
或者,所述子區域為8個,分別呈三角形布置。
作為其中一種實施方式,所述的基板冷卻裝置還包括定型塊,所述定型塊覆蓋并接觸所述冷卻水管的上表面。
作為其中一種實施方式,所述的基板冷卻裝置還包括設于所述定型塊下方的多組吸附通道,位于所述矩形分布區域的角部的第一吸附通道共用第一真空吸附裝置,位于矩形分布區域的其他區域的第二吸附通道各自連通一個第二真空吸附裝置。
本發明的另一目的在于提供一種基板冷卻方法,使用一種所述的基板冷卻裝置,包括:分別同時朝不同的所述子區域的所述進水口注入冷卻水,使冷卻水依次自所述矩形分布區域的中心呈蛇形迂回地流向角部的所述出水口。
本發明通過對冷卻水管的進水口、出水口以及走線進行設計,使得基板冷卻裝置可以克服玻璃基板的各個角處降溫速率大于其四個邊的降溫速率的現象,保證玻璃基板的所有區域的冷卻速度一致,避免玻璃基板各區域收縮量不一致引起的不規則變形。
附圖說明
圖1為本發明實施例1的基板冷卻裝置的結構示意圖;
圖2為本發明實施例1的基板冷卻裝置的冷卻水管的布線方式示意圖;
圖3為本發明實施例1的基板冷卻裝置的冷卻水管的吸附通道的布置方式示意圖;
圖4為本發明實施例1的基板冷卻方法示意圖;
圖5為本發明實施例2的基板冷卻裝置的冷卻水管的布線方式示意圖。
具體實施方式
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





