[發(fā)明專利]一種基板冷卻裝置及冷卻方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710661990.7 | 申請日: | 2017-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN107706128B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊元隆 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/00;H01L21/677 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 冷卻 裝置 方法 | ||
1.一種基板冷卻裝置,其特征在于,包括冷卻水供應裝置、連接所述冷卻水供應裝置且用于對上方的基板(P)進行冷卻的冷卻水管(10)和分別連接所述冷卻水管(10)的多個進水口(21)和多個出水口(22),所述進水口(21)連接所述冷卻水供應裝置;所述冷卻水管(10)呈矩形分布,且所述冷卻水管(10)的矩形分布區(qū)域被劃分為多個子區(qū)域(100),每個所述子區(qū)域(100)的所述冷卻水管(10)兩端均只連接有一個所述進水口(21)和一個所述出水口(22);所述進水口(21)設于所述矩形分布區(qū)域的中部,所述出水口(22)設于所述矩形分布區(qū)域的角部,且每個所述子區(qū)域(100)的所述冷卻水管(10)首先自相應的所述進水口(21)延伸至靠近所述矩形分布區(qū)域的中心后,呈蛇形迂回地引出至角部的所述出水口(22)。
2.根據權利要求1所述的基板冷卻裝置,其特征在于,所述矩形分布區(qū)域被劃分為關于其對稱軸對稱設置的多個所述子區(qū)域(100)。
3.根據權利要求2所述的基板冷卻裝置,其特征在于,每個所述子區(qū)域(100)的面積相同。
4.根據權利要求2所述的基板冷卻裝置,其特征在于,所述子區(qū)域(100)為4個,分別呈矩形布置。
5.根據權利要求4所述的基板冷卻裝置,其特征在于,所述子區(qū)域(100)的所述冷卻水管(10)包括多段與其所屬的所述子區(qū)域(100)的對角線平行的第一段(101)。
6.根據權利要求5所述的基板冷卻裝置,其特征在于,所述子區(qū)域(100)的所述冷卻水管(10)還包括多段與其所屬的所述子區(qū)域(100)的邊界平行的第二段(102),所述第一段(101)與所述第二段(102)相鄰且依次連接。
7.根據權利要求2所述的基板冷卻裝置,其特征在于,所述子區(qū)域(100)為8個,分別呈三角形布置。
8.根據權利要求1-7任一所述的基板冷卻裝置,其特征在于,還包括定型塊(30),所述定型塊(30)覆蓋并接觸所述冷卻水管(10)的上表面。
9.根據權利要求8所述的基板冷卻裝置,其特征在于,還包括設于所述定型塊(30)下方的多組吸附通道(40),位于所述矩形分布區(qū)域的角部的第一吸附通道(41)共用第一真空吸附裝置,位于矩形分布區(qū)域的其他區(qū)域的第二吸附通道(42)各自連通一個第二真空吸附裝置。
10.一種基板冷卻方法,其特征在于,使用權利要求1-9任一所述的基板冷卻裝置,包括:分別同時朝不同的所述子區(qū)域(100)的所述進水口(21)注入冷卻水,使冷卻水依次自所述矩形分布區(qū)域的中心呈蛇形迂回地流向角部的所述出水口(22)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710661990.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種教學用交互式投影儀
- 下一篇:一種課程教學系統(tǒng)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





