[發(fā)明專利]制造半導體器件的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710659511.8
• 申請日: 2017-08-04
• 公開（公告）號: CN107689347A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設計）人: 河大元;河承錫;洪炳鶴
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 張波

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

圖案化襯底以形成有源鰭；

在所述襯底上形成交叉所述有源鰭的犧牲柵極圖案；

去除所述犧牲柵極圖案以形成暴露所述有源鰭的間隙區(qū)；以及

在由所述間隙區(qū)暴露的所述有源鰭中形成分離區(qū)，

其中形成所述分離區(qū)包括在所述暴露的有源鰭中形成氧化物層，以及以雜質注入到所述暴露的有源鰭中形成雜質區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括：

在所述犧牲柵極圖案的側壁上形成柵極間隔物；以及

在去除所述犧牲柵極圖案之后在所述柵極間隔物的內側壁上形成阻擋間隔物，

其中形成所述雜質區(qū)包括使用所述阻擋間隔物作為離子注入掩模執(zhí)行離子注入工藝。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述有源鰭包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域設置在所述犧牲柵極圖案下面，以及所述第二區(qū)域設置在所述犧牲柵極圖案的兩側處，所述方法還包括蝕刻所述有源鰭的所述第二區(qū)域以及在所述犧牲柵極圖案的所述兩側處形成源極/漏極區(qū)。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中所述分離區(qū)的最下表面的高度低于所述源極/漏極區(qū)的最下表面的高度。

5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中形成所述源極/漏極區(qū)包括在所述襯底上生長外延層。

6.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述阻擋間隔物包括硅氮化物或硅氧化物。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述分離區(qū)包括在所述暴露的有源鰭的表面中形成所述氧化物層之后，在所述氧化物層下面形成所述雜質區(qū)。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述分離區(qū)之后，形成填充所述間隙區(qū)的柵極圖案。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述柵極圖案對應于虛設柵極圖案。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述犧牲柵極圖案是多個犧牲柵極圖案，以及所述間隙區(qū)是多個間隙區(qū)，所述方法還包括：

在所述襯底上設置在第一方向上延伸的所述有源鰭；

提供在所述襯底上在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸并彼此間隔開的多個第二犧牲柵極圖案；

去除所述多個第二犧牲柵極圖案以形成多個第二間隙區(qū)；以及

形成多個柵極圖案以分別填充所述多個第二間隙區(qū)，

其中第二分離區(qū)僅形成在所述多個第二間隙區(qū)中的一些下面，以及不形成在所述多個第二間隙區(qū)中的其它第二間隙區(qū)下面。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述多個柵極圖案的形成在所述多個第二間隙區(qū)中的所述一些中的第一部分對應于虛設柵極圖案，以及所述多個柵極圖案的形成在所述多個第二間隙區(qū)中的所述其它第二間隙區(qū)中的第二部分對應于有源柵極圖案。

12.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成在第一方向上延伸的有源鰭；

在所述襯底上在垂直于所述第一方向的第二方向上形成覆蓋所述有源鰭并彼此間隔開的第一犧牲柵極圖案、第二犧牲柵極圖案和第三犧牲柵極圖案；

去除所述第一犧牲柵極圖案、所述第二犧牲柵極圖案和所述第三犧牲柵極圖案以形成暴露所述有源鰭的部分的第一間隙區(qū)、第二間隙區(qū)和第三間隙區(qū)；

僅在所述有源鰭的由所述第二間隙區(qū)暴露的部分中形成氧化物層，其中所述第二間隙區(qū)設置在所述第一間隙區(qū)與所述第三間隙區(qū)之間；以及

分別形成填充所述第一間隙區(qū)、所述第二間隙區(qū)和所述第三間隙區(qū)的第一柵極圖案、第二柵極圖案和第三柵極圖案。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，還包括：

在所述第一犧牲柵極圖案、所述第二犧牲柵極圖案和所述第三犧牲柵極圖案的每個的側壁上形成柵極間隔物；

分別去除所述第一犧牲柵極圖案、所述第二犧牲柵極圖案和所述第三犧牲柵極圖案以形成所述第一間隙區(qū)、所述第二間隙區(qū)和所述第三間隙區(qū)；

形成使所述第二間隙區(qū)敞開的掩模圖案；

在由所述第二間隙區(qū)暴露的所述柵極間隔物的內側壁上形成阻擋間隔物；以及

通過使用所述阻擋間隔物作為掩模的離子注入形成雜質區(qū)。