[發明專利]一種柔性觸控母板及制備方法、柔性觸控基板、觸控面板

有效

• 申請號: 201710657760.3
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN107482039B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 曾亭;張明;李紅軍;陳啟程;張由婷;殷劉岳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/56
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種柔性觸控母板及制備方法、柔性觸控基板、觸控面板，涉及顯示技術領域，可降低方阻同時改善膜層應力問題，避免出現鼓泡不良，提高產品良率。該制備方法包括對形成在柔性薄膜上的第一透明導電層進行圖案化處理，形成第一、第二電極；第一透明導電層由多次沉積的多層第一透明導電膜構成；沉積的第一層第一透明導電膜的厚度為15～45nm，且多層第一透明導電膜的總厚度為120～200nm。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種柔性觸控母板及制備方法、柔性觸控基板、觸控面板。

背景技術

隨著柔性觸控顯示產品窄邊框、無邊框的逐步發展，柔性觸控電極(即Sensor)在邊框邊緣布線的空間將進一步縮小，要求Sensor的制備工藝在顯示區(即Pattern區)必須達到更低的通道阻抗，以降低面電阻(或稱方阻)。方阻的符號為Rs，表達式為Rs＝ρ/t；其中，ρ為電極材料的電阻率，t為電極的厚度。

Sensor通常采用ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)透明導電材料構成，目前業界普遍在使用的ITO方阻為100Ω/□(符號“□”表示方塊)，為降低面內方阻，ITO方阻需要降低至30Ω/□左右，相應的厚度約為135nm

由方阻的表達式可知，在電阻率ρ不變的情況下，為達成Sensor低通道阻抗工藝，走線方阻遠小于顯示區域的面內方阻，ITO鍍膜需增加鍍膜功率以增加膜厚，降低方阻。

然而，增加鍍膜功率后，由于厚度較大的ITO是經過一次鍍膜直接形成的，膜層中應力分布不均，存在局部應力較大的區域。在后續形成覆蓋ITO的保護層(Over Coat，簡稱為OC)后出現如圖1(a)中箭頭所指的條型鼓泡，或者如圖1(b)中虛線框內的條型鼓泡。柔性薄膜表面出現鼓泡不良后，在其表面進行黃光工藝(即光刻膠工藝)時，由于柔性薄膜表面不平整，光刻膠涂覆在柔性薄膜表面后無法進行正常的曝光區域識別，導致黃光工藝不能進行，整個基板報廢，良率為0％，嚴重影響良品產率。

發明內容

鑒于此，為解決現有技術的問題，本發明的實施例提供一種柔性觸控母板及制備方法、柔性觸控基板、觸控面板，可在實現降低電極方阻的同時，改善電極膜層中的應力不均問題，避免后續形成的保護層出現鼓泡不良問題，提高產品良率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面、本發明實施例提供了一種柔性觸控母板的制備方法，所述制備方法包括，對形成在柔性薄膜上的第一透明導電層進行圖案化處理，形成位于顯示區域內的多條交叉設置的第一電極與第二電極；其中，所述第一透明導電層由多次沉積的多層第一透明導電膜構成；沉積的第一層所述第一透明導電膜的厚度為15～45nm，且所述多層第一透明導電膜的總厚度為120～200nm。

可選的，所述第一透明導電層由兩次沉積的兩層第一透明導電膜構成；其中，沉積的第二層所述第一透明導電膜的厚度為90～120nm；或者，所述第一透明導電層由三次沉積的三層第一透明導電膜構成；其中，沉積的每層所述第一透明導電膜的厚度均為45nm。

可選的，所述對形成在柔性薄膜上的第一透明導電層進行圖案化處理，形成位于顯示區域內的多條交叉設置的第一電極與第二電極的步驟之前，所述制備方法還包括，在玻璃基板上涂覆粘合劑；對所述粘合劑進行加熱處理，以去除所述粘合劑中的有機溶劑組分；對加熱處理后的所述粘合劑進行降溫處理，并將柔性薄膜貼覆在所述粘合劑上。

優選的，所述加熱處理的溫度為150～200℃、加熱時間為30～60min。

可選的，所述對形成在柔性薄膜上的第一透明導電層進行圖案化處理，形成位于顯示區域內的多條交叉設置的第一電極與第二電極的步驟之前，所述制備方法還包括，在所述柔性薄膜表面形成消隱層；所述第一透明導電層形成在所述消隱層上。

優選的，所述柔性觸控母板在可見光區的反射率小于12％。