[發(fā)明專利]一種柔性觸控母板及制備方法、柔性觸控基板、觸控面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710657760.3
• 申請(qǐng)日: 2017-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN107482039B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾亭;張明;李紅軍;陳啟程;張由婷;殷劉岳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L21/56
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種柔性觸控母板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括，

對(duì)形成在柔性薄膜上的第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，形成位于顯示區(qū)域內(nèi)的多條交叉設(shè)置的第一電極與第二電極；其中，所述第一透明導(dǎo)電層由多次沉積的多層第一透明導(dǎo)電膜構(gòu)成；沉積的第一層所述第一透明導(dǎo)電膜的厚度為15～45nm，且所述多層第一透明導(dǎo)電膜的總厚度為120～200nm；

所述第一透明導(dǎo)電層由兩次沉積的兩層第一透明導(dǎo)電膜構(gòu)成；其中，沉積的第二層所述第一透明導(dǎo)電膜的厚度為90～120nm；

或者，

所述第一透明導(dǎo)電層由三次沉積的三層第一透明導(dǎo)電膜構(gòu)成；其中，沉積的每層所述第一透明導(dǎo)電膜的厚度均為45nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對(duì)形成在柔性薄膜上的第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，形成位于顯示區(qū)域內(nèi)的多條交叉設(shè)置的第一電極與第二電極的步驟之前，所述制備方法還包括，

在玻璃基板上涂覆粘合劑；

對(duì)所述粘合劑進(jìn)行加熱處理，以去除所述粘合劑中的有機(jī)溶劑組分；

對(duì)加熱處理后的所述粘合劑進(jìn)行降溫處理，并將柔性薄膜貼覆在所述粘合劑上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度為150～200℃、加熱時(shí)間為30～60min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對(duì)形成在柔性薄膜上的第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，形成位于顯示區(qū)域內(nèi)的多條交叉設(shè)置的第一電極與第二電極的步驟之前，所述制備方法還包括，

在所述柔性薄膜表面形成消隱層；

所述第一透明導(dǎo)電層形成在所述消隱層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述柔性觸控母板在可見光區(qū)的反射率小于12％。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，

所述消隱層包括依次遠(yuǎn)離所述柔性薄膜的第一光學(xué)層和第二光學(xué)層；其中，所述第一光學(xué)層的折射率為1.65，厚度為40～50nm；所述第二光學(xué)層的折射率為1.49，厚度為160～200nm；

或者，

所述消隱層的折射率為1.65，厚度為40～50nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述對(duì)形成在柔性薄膜上的第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，形成位于顯示區(qū)域內(nèi)的多條交叉設(shè)置的第一電極與第二電極；其中，所述第一透明導(dǎo)電層由多次沉積的多層第一透明導(dǎo)電膜構(gòu)成；沉積的第一層所述第一透明導(dǎo)電膜的厚度為15～45nm，且所述多層第一透明導(dǎo)電膜的總厚度為120～200nm的步驟之后，所述制備方法還包括，

在所述顯示區(qū)域外形成與所述第一電極相連的第一金屬走線、與所述第二電極相連的第二金屬走線；

在所述第一電極、所述第二電極、所述第一金屬走線和所述第二金屬走線上形成第一保護(hù)層；所述第一保護(hù)層上形成有露出所述第二電極的過(guò)孔；

在所述第一保護(hù)層的所述過(guò)孔處形成與所述第二電極相連的透明橋接電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成所述第一保護(hù)層的溫度為90～130℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述制備方法還包括，在所述透明橋接電極上形成第二保護(hù)層的情況下，所述在所述第一保護(hù)層的所述過(guò)孔處形成與所述第二電極相連的透明橋接電極的步驟包括，

對(duì)形成在所述第一保護(hù)層上的第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，形成位于所述過(guò)孔處與所述第二電極相連的透明橋接電極；其中，所述第二透明導(dǎo)電層由多次沉積的多層第二透明導(dǎo)電膜構(gòu)成；沉積的第一層所述第二透明導(dǎo)電膜的厚度為15～45nm，且所述多層第二透明導(dǎo)電膜的總厚度小于200nm。